主頁(yè) 電源管理 線性和低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器

TPS73250-EP

正在供貨

具有反向電流保護(hù)功能的無(wú)電容 NMOS 250mA 低壓降穩(wěn)壓器（增強(qiáng)型產(chǎn)品）

產(chǎn)品詳情

Rating HiRel Enhanced Product Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.7 Iout (max) (A) 0.25 Output options Fixed Output Vout (max) (V) 5 Vout (min) (V) 5 Fixed output options (V) 5 Noise (μVrms) 30 PSRR at 100 KHz (dB) 16 Iq (typ) (mA) 0.4 Features Enable, Reverse Current Protection Thermal resistance θJA (°C/W) 255 Load capacitance (min) (μF) 0 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 1 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 40 Operating temperature range (°C) -55 to 125
Rating HiRel Enhanced Product Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.7 Iout (max) (A) 0.25 Output options Fixed Output Vout (max) (V) 5 Vout (min) (V) 5 Fixed output options (V) 5 Noise (μVrms) 30 PSRR at 100 KHz (dB) 16 Iq (typ) (mA) 0.4 Features Enable, Reverse Current Protection Thermal resistance θJA (°C/W) 255 Load capacitance (min) (μF) 0 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 1 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 40 Operating temperature range (°C) -55 to 125
SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm2 2.9 x 2.8
  • 受控基線：
    • 一個(gè)封測(cè)廠，一個(gè)制造廠
  • 擴(kuò)展了溫度性能范圍：–55°C 至 +125°C
  • 增強(qiáng)了制造源減少 (DMS) 支持
  • 改善了產(chǎn)品變更通知周期
  • 資質(zhì)認(rèn)證譜系(1)
  • 不借助輸出電容器或者任何電容值或類型的電容器即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定
  • 輸入電壓范圍：1.7V 至 5.5V
  • 超低壓降電壓：250mA 時(shí)為 40mV 典型值
  • 負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)出色（無(wú)論是否使用可選輸出電容器）
  • 新的 NMOS 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了低反向泄漏電流
  • 低噪聲：30μVRMS 典型值（10kHz 至 100kHz）
  • 初始精度：0.5%
  • 總體精度（包括線路、負(fù)載和溫度精度）為 1%
  • 關(guān)斷模式下 IQ 最大值小于 1μA
  • 熱關(guān)斷和指定最小/最大電流限制保護(hù)
  • 提供了多個(gè)輸出電壓版本：
    • 固定輸出：1.2V 至 5V
    • 可調(diào)輸出：1.2V 至 5.5V
    • 可提供定制輸出

(1)元件資質(zhì)認(rèn)證符合 JEDEC 和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，確?？稍跀U(kuò)展的工作溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。其中包括但不限于高加速應(yīng)力測(cè)試 (HAST) 或偏壓 85/85、溫度循環(huán)、高壓蒸煮或無(wú)偏壓 HAST、電遷移、鍵合金屬間化合物壽命和模塑化合物壽命。此類資質(zhì)認(rèn)證測(cè)試不應(yīng)視為在超出指定的性能和環(huán)境限值的情況下使用此元件的正當(dāng)理由。
  • 受控基線：
    • 一個(gè)封測(cè)廠，一個(gè)制造廠
  • 擴(kuò)展了溫度性能范圍：–55°C 至 +125°C
  • 增強(qiáng)了制造源減少 (DMS) 支持
  • 改善了產(chǎn)品變更通知周期
  • 資質(zhì)認(rèn)證譜系(1)
  • 不借助輸出電容器或者任何電容值或類型的電容器即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定
  • 輸入電壓范圍：1.7V 至 5.5V
  • 超低壓降電壓：250mA 時(shí)為 40mV 典型值
  • 負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)出色（無(wú)論是否使用可選輸出電容器）
  • 新的 NMOS 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了低反向泄漏電流
  • 低噪聲：30μVRMS 典型值（10kHz 至 100kHz）
  • 初始精度：0.5%
  • 總體精度（包括線路、負(fù)載和溫度精度）為 1%
  • 關(guān)斷模式下 IQ 最大值小于 1μA
  • 熱關(guān)斷和指定最小/最大電流限制保護(hù)
  • 提供了多個(gè)輸出電壓版本：
    • 固定輸出：1.2V 至 5V
    • 可調(diào)輸出：1.2V 至 5.5V
    • 可提供定制輸出

(1)元件資質(zhì)認(rèn)證符合 JEDEC 和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，確保可在擴(kuò)展的工作溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。其中包括但不限于高加速應(yīng)力測(cè)試 (HAST) 或偏壓 85/85、溫度循環(huán)、高壓蒸煮或無(wú)偏壓 HAST、電遷移、鍵合金屬間化合物壽命和模塑化合物壽命。此類資質(zhì)認(rèn)證測(cè)試不應(yīng)視為在超出指定的性能和環(huán)境限值的情況下使用此元件的正當(dāng)理由。

TPS732xx-EP 系列低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器使用一種全新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：在一個(gè)電壓跟隨器配置中使用一個(gè) NMOS 導(dǎo)通元件。這個(gè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在使用具有低等效串聯(lián)電阻 (ESR) 的輸出電容器時(shí)保持穩(wěn)定，甚至可實(shí)現(xiàn)無(wú)電容器運(yùn)行。該系列還提供高反向阻斷（低反向電流）和接地引腳電流，該電流在所有輸出電流值上幾乎保持恒定。

TPS732xx-EP 利用先進(jìn)的 BiCMOS 工藝實(shí)現(xiàn)高精度，同時(shí)提供低壓降電壓和低接地引腳電流。未啟用時(shí)，電流消耗低于 1µA，非常適合便攜式應(yīng)用。低輸出噪聲（0.1µF CNR 時(shí)為 30µVRMS）使得此器件非常適合為 VCO 供電。這些器件受到熱關(guān)斷和折返電流限制的保護(hù)。

TPS732xx-EP 系列低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器使用一種全新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：在一個(gè)電壓跟隨器配置中使用一個(gè) NMOS 導(dǎo)通元件。這個(gè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在使用具有低等效串聯(lián)電阻 (ESR) 的輸出電容器時(shí)保持穩(wěn)定，甚至可實(shí)現(xiàn)無(wú)電容器運(yùn)行。該系列還提供高反向阻斷（低反向電流）和接地引腳電流，該電流在所有輸出電流值上幾乎保持恒定。

TPS732xx-EP 利用先進(jìn)的 BiCMOS 工藝實(shí)現(xiàn)高精度，同時(shí)提供低壓降電壓和低接地引腳電流。未啟用時(shí)，電流消耗低于 1µA，非常適合便攜式應(yīng)用。低輸出噪聲（0.1µF CNR 時(shí)為 30µVRMS）使得此器件非常適合為 VCO 供電。這些器件受到熱關(guān)斷和折返電流限制的保護(hù)。
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* 數(shù)據(jù)表 TPS732xx-EP 具有反向電流保護(hù)功能的無(wú)電容器、NMOS、250mA 低壓降穩(wěn)壓器 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) PDF | HTML 英語(yǔ)版 (Rev.A) PDF | HTML 2025年 10月 7日
* 輻射與可靠性報(bào)告 TPS73250MDBVREP Reliability Report 2016年 1月 22日

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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