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TPS53625

正在供貨

適用于 VR12.0 微服務(wù)器的兩相 D-CAP+? 降壓控制器

產(chǎn)品詳情

Rating Catalog Topology Multiphase Iout (max) (A) 60 Vin (max) (V) 24 Vin (min) (V) 4.5 Vout (max) (V) 1.52 Vout (min) (V) 0.5 Control mode D-CAP+ Features Adjustable current limit, Dynamic Voltage Scaling, Enable, Light Load Efficiency, Phase Interleaving, Power good, Pre-Bias Start-Up, Remote Sense, SVID, Synchronous Rectification Operating temperature range (°C) -40 to 105 Iq (typ) (μA) 10000 Duty cycle (max) (%) 30 Number of phases 2
Rating Catalog Topology Multiphase Iout (max) (A) 60 Vin (max) (V) 24 Vin (min) (V) 4.5 Vout (max) (V) 1.52 Vout (min) (V) 0.5 Control mode D-CAP+ Features Adjustable current limit, Dynamic Voltage Scaling, Enable, Light Load Efficiency, Phase Interleaving, Power good, Pre-Bias Start-Up, Remote Sense, SVID, Synchronous Rectification Operating temperature range (°C) -40 to 105 Iq (typ) (μA) 10000 Duty cycle (max) (%) 30 Number of phases 2
VQFN (RSM) 32 16 mm2 4 x 4
  • 符合 VR12.0 串行 VID (SVID) 標(biāo)準(zhǔn)
  • 單相或兩相運(yùn)行
  • 支持零負(fù)載和非零負(fù)載線路應(yīng)用
  • 8 位 DAC 輸出范圍：0.25 V 至 1.52 V
  • 優(yōu)化了輕負(fù)載和重負(fù)載條件下的效率
  • 8 級(jí)獨(dú)立的過沖衰減 (OSR) 和下沖衰減 (USR)
  • 無驅(qū)動(dòng)器配置，有助于實(shí)現(xiàn)高效的高頻開關(guān)
  • 支持分立式、電源塊、功率級(jí)或 DrMOS MOSFET 實(shí)施
  • 精確可調(diào)電壓定位
  • 300kHz 至 1MHz 的頻率選擇
  • 獲得專利的 AutoBalance 相位平衡
  • 可選 8 級(jí)電流限制
  • 4.5V 至 28V 轉(zhuǎn)換電壓范圍
  • 小型 4mm × 4mm 32 引腳 VQFN PowerPAD? 集成電路封裝
  • 符合 VR12.0 串行 VID (SVID) 標(biāo)準(zhǔn)
  • 單相或兩相運(yùn)行
  • 支持零負(fù)載和非零負(fù)載線路應(yīng)用
  • 8 位 DAC 輸出范圍：0.25 V 至 1.52 V
  • 優(yōu)化了輕負(fù)載和重負(fù)載條件下的效率
  • 8 級(jí)獨(dú)立的過沖衰減 (OSR) 和下沖衰減 (USR)
  • 無驅(qū)動(dòng)器配置，有助于實(shí)現(xiàn)高效的高頻開關(guān)
  • 支持分立式、電源塊、功率級(jí)或 DrMOS MOSFET 實(shí)施
  • 精確可調(diào)電壓定位
  • 300kHz 至 1MHz 的頻率選擇
  • 獲得專利的 AutoBalance 相位平衡
  • 可選 8 級(jí)電流限制
  • 4.5V 至 28V 轉(zhuǎn)換電壓范圍
  • 小型 4mm × 4mm 32 引腳 VQFN PowerPAD? 集成電路封裝

TPS53625 器件是一款無驅(qū)動(dòng)器、完全符合 SVID 標(biāo)準(zhǔn)的 VR12.0 降壓控制器。高級(jí)控制特性（例如 D-CAP+ 架構(gòu)）借助重疊脈沖支持下沖衰減 (USR) 和過沖衰減 (OSR)，可提供快速瞬態(tài)響應(yīng)、最低輸出電容和高效率。TPS53625 器件還支持在 CCM 或 DCM 運(yùn)行情況下進(jìn)行單相運(yùn)行，從而提高輕負(fù)載情況下的效率。TPS53625 器件集成了完整的 VR12.0 I/O 功能，包括 VR_READY (PGOOD)、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允許在 0 到 7 的時(shí)間范圍內(nèi)進(jìn)行編程。VOUT 壓擺率和電壓定位的可調(diào)節(jié)控制完善了 VR12.0 功能。與 TPS51604 FET 柵極驅(qū)動(dòng)器配合使用時(shí)，該解決方案可提供超高速度和低開關(guān)損耗。TPS53625 器件與選定的 TI 功率級(jí)產(chǎn)品以及 DrMOS 產(chǎn)品一起使用，可實(shí)現(xiàn)出色效率。TPS53625 器件以 1V 的默認(rèn)啟動(dòng)電壓運(yùn)行。通過在設(shè)計(jì)中添加一個(gè)外部電阻分壓器，應(yīng)用可以覆蓋默認(rèn)啟動(dòng)電壓。TPS53625 器件采用節(jié)省空間的熱增強(qiáng)型 32 引腳 VQFN 封裝，可在 –40°C 到 105°C 溫度下運(yùn)行。

TPS53625 器件是一款無驅(qū)動(dòng)器、完全符合 SVID 標(biāo)準(zhǔn)的 VR12.0 降壓控制器。高級(jí)控制特性（例如 D-CAP+ 架構(gòu)）借助重疊脈沖支持下沖衰減 (USR) 和過沖衰減 (OSR)，可提供快速瞬態(tài)響應(yīng)、最低輸出電容和高效率。TPS53625 器件還支持在 CCM 或 DCM 運(yùn)行情況下進(jìn)行單相運(yùn)行，從而提高輕負(fù)載情況下的效率。TPS53625 器件集成了完整的 VR12.0 I/O 功能，包括 VR_READY (PGOOD)、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允許在 0 到 7 的時(shí)間范圍內(nèi)進(jìn)行編程。VOUT 壓擺率和電壓定位的可調(diào)節(jié)控制完善了 VR12.0 功能。與 TPS51604 FET 柵極驅(qū)動(dòng)器配合使用時(shí)，該解決方案可提供超高速度和低開關(guān)損耗。TPS53625 器件與選定的 TI 功率級(jí)產(chǎn)品以及 DrMOS 產(chǎn)品一起使用，可實(shí)現(xiàn)出色效率。TPS53625 器件以 1V 的默認(rèn)啟動(dòng)電壓運(yùn)行。通過在設(shè)計(jì)中添加一個(gè)外部電阻分壓器，應(yīng)用可以覆蓋默認(rèn)啟動(dòng)電壓。TPS53625 器件采用節(jié)省空間的熱增強(qiáng)型 32 引腳 VQFN 封裝，可在 –40°C 到 105°C 溫度下運(yùn)行。
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特別說明

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* 數(shù)據(jù)表 TPS53625 適用于 VR12.0 VCPU 的兩相 D-CAP+? 降壓控制器 數(shù)據(jù)表 英語版 PDF | HTML 2022年 4月 13日

設(shè)計(jì)和開發(fā)

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參考設(shè)計(jì)

TIDA-00507 — 用于微型服務(wù)器的高功率密度 9V 至 15V 輸入 Intel Atom C2000 SoC VCCP 和 VNN 電源軌參考設(shè)計(jì)

TI TPS53625 VR12 參考設(shè)計(jì) (TIDA-00507) 支持 Intel? Atom? C2000，使用 TI 的無驅(qū) PWM 架構(gòu)與 TI 功率級(jí)相結(jié)合，帶來高功率密度、高效率和低組件數(shù)，同時(shí)憑借低波紋和高輸出電流監(jiān)控精度來滿足 Intel 電壓容限要求。
測試報(bào)告: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
VQFN (RSM) 32 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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支持和培訓(xùn)

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