TPS51716

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全套 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器，2A LDO

產品詳情

Product type DDR Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.7 Vout (max) (V) 1.8 Features Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Iq (typ) (mA) 0.6 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
Product type DDR Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.7 Vout (max) (V) 1.8 Features Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Iq (typ) (mA) 0.6 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
WQFN (RUK) 20 9 mm2 3 x 3
  • 同步降壓控制器 (VDDQ)
    • 轉換電壓范圍：3V 至 28V
    • 輸出電壓范圍：0.7V 至 1.8V
    • 0.8% VREF精度
    • D-CAP2?針對陶瓷輸出電容器的模式
    • 可選 500kHz/670kHz 開關頻率
    • 自動跳頻功能優化了輕負載和重負載時的效率
    • 支持 S4/S5 狀態中的軟啟動
    • 過流 (OCL) / 過壓 (OVP) / 欠壓 (UVP) / 欠壓閉鎖 (UVLO) 保護
    • 電源正常輸出
  • 2A LDO (VTT)、緩沖基準 (VTTREF)
    • 2A（峰值）灌電流和拉電流
    • 只需 10μF 陶瓷輸出電容器
    • 經緩沖的，低噪聲，10mA VTTREF 輸出
    • 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
    • 在 S3 中支持高阻抗 (High-Z) 而在 S4/S5 中支持軟關閉
  • 熱關斷
  • 20 引腳 3mm × 3mm WQFN 封裝
  • 同步降壓控制器 (VDDQ)
    • 轉換電壓范圍：3V 至 28V
    • 輸出電壓范圍：0.7V 至 1.8V
    • 0.8% VREF精度
    • D-CAP2?針對陶瓷輸出電容器的模式
    • 可選 500kHz/670kHz 開關頻率
    • 自動跳頻功能優化了輕負載和重負載時的效率
    • 支持 S4/S5 狀態中的軟啟動
    • 過流 (OCL) / 過壓 (OVP) / 欠壓 (UVP) / 欠壓閉鎖 (UVLO) 保護
    • 電源正常輸出
  • 2A LDO (VTT)、緩沖基準 (VTTREF)
    • 2A（峰值）灌電流和拉電流
    • 只需 10μF 陶瓷輸出電容器
    • 經緩沖的，低噪聲，10mA VTTREF 輸出
    • 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
    • 在 S3 中支持高阻抗 (High-Z) 而在 S4/S5 中支持軟關閉
  • 熱關斷
  • 20 引腳 3mm × 3mm WQFN 封裝

TPS51716 用最少總體成本和最小空間提供一個用于 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內存系統的完整電源。它將同步降壓穩壓器控制器 (VDDQ) 與 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO (VTT) 和緩沖低噪聲基準 (VTTREF) 相集成。TPS51716 采用融合了 500kHz 或 670kHz 工作頻率的 D-CAP2 模式，此模式可在無需外部補償電路的情況下支持陶瓷輸出電容器。VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度高達 0.8%。能夠提供 2A 灌電流/拉電流峰值電流功能的 VTT ，而且只需 10µF 的陶瓷電容。此外，該器件還 具有 專用 LDO 電源輸入。

TPS51716 提供豐富、實用的功能以及出色的電源性能。它支持靈活功率級控制，將 VTT 置于 S3 中的高阻抗狀態并在 S4/S5 狀態中將 VDDQ，VTT 和 VTTREF 放電（軟關閉）。它包括具有低側 MOSFET RDS（接通）感測的可編程 OCL，OVP/UVP/UVLO 和熱關斷保護。

TI 的 TPS51716 采用 20 引腳 3mm × 3mm WQFN 封裝，且其額定環境溫度范圍介于 -40°C 至 85°C 之間。

TPS51716 用最少總體成本和最小空間提供一個用于 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內存系統的完整電源。它將同步降壓穩壓器控制器 (VDDQ) 與 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO (VTT) 和緩沖低噪聲基準 (VTTREF) 相集成。TPS51716 采用融合了 500kHz 或 670kHz 工作頻率的 D-CAP2 模式，此模式可在無需外部補償電路的情況下支持陶瓷輸出電容器。VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度高達 0.8%。能夠提供 2A 灌電流/拉電流峰值電流功能的 VTT ，而且只需 10µF 的陶瓷電容。此外，該器件還 具有 專用 LDO 電源輸入。

TPS51716 提供豐富、實用的功能以及出色的電源性能。它支持靈活功率級控制，將 VTT 置于 S3 中的高阻抗狀態并在 S4/S5 狀態中將 VDDQ，VTT 和 VTTREF 放電（軟關閉）。它包括具有低側 MOSFET RDS（接通）感測的可編程 OCL，OVP/UVP/UVLO 和熱關斷保護。

TI 的 TPS51716 采用 20 引腳 3mm × 3mm WQFN 封裝，且其額定環境溫度范圍介于 -40°C 至 85°C 之間。
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設計和開發

電源解決方案

了解包含 TPS51716 的解決方案。TI 提供適用于 TI 和非 TI 片上系統 (SoC)、處理器、微控制器、傳感器和現場可編程門陣列 (FPGA) 的電源解決方案。
仿真模型

TPS51716 PSpice Transient Model

SLUM340.ZIP (78 KB) - PSpice Model
下載
參考設計

PMP10029 — 參考設計 - 面向工業 PC 的 5V 輸入、10A 負載 DDR3/DDR4 電源

此參考設計展示了適用于 DDR3 和 DDR4 存儲器的通用電源解決方案。同步降壓轉換器為 DDR3L 配置中的 9A 負載提供 1.35V 輸出電壓。線性穩壓器提供為 2A 負載提供 0.675V 的第二個電壓。
測試報告: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
WQFN (RUK) 20 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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