數(shù)據(jù)表
TPS51216-EP
- 同步降壓控制器 (VDDQ)
- 轉(zhuǎn)換電壓范圍：3 至 28 V
- 輸出電壓范圍：0.7 至 1.8 V
- 0.8% VREF 精度
- D-CAP? 模式，可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
- 可選 300kHz/400kHz 開(kāi)關(guān)頻率
- 自動(dòng)跳過(guò)功能優(yōu)化了輕負(fù)載和重負(fù)載時(shí)的效率
- 支持 S4/S5 狀態(tài)下的軟關(guān)閉
- OCL/OVP/UVP/UVLO 保護(hù)
- 電源正常輸出
- 2A LDO (VTT)、緩沖基準(zhǔn) (VTTREF)
- 2A（峰值）灌電流和拉電流
- 只需 10μF 陶瓷輸出電容
- 經(jīng)緩沖的低噪聲 10mA VTTREF 輸出
- 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
- 在 S3 下支持高阻抗，在 S4/S5 下支持軟關(guān)閉
- 熱關(guān)斷
- 20 引腳 3mm × 3mm WQFN 封裝
- 支持國(guó)防、航天和醫(yī)療應(yīng)用
- 受控基線
- 一個(gè)組裝/測(cè)試基地
- 一個(gè)制造基地
- 支持軍用（-55°C 至 125°C）溫度范圍，(1)
- 延長(zhǎng)了產(chǎn)品生命周期
- 延長(zhǎng)了產(chǎn)品變更通知
- 產(chǎn)品可追溯性
(1)提供額外的溫度范圍 - 請(qǐng)聯(lián)系工廠
TPS51216-EP 以最少總成本和最小空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲(chǔ)器系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓器控制器 (VDDQ) 與 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO (VTT) 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) (VTTREF) 相集成。TPS51216-EP 采用 D-CAP™ 模式與 300kHz/400kHz 頻率相結(jié)合，以實(shí)現(xiàn)易用性和快速瞬態(tài)響應(yīng)。VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度優(yōu)于 0.8%。能夠提供 2A 灌電流/拉電流峰值電流功能的 VTT 只需 10µF 的陶瓷電容器。此外，還提供專用的 LDO 電源輸入。
TPS51216-EP 提供豐富、實(shí)用的功能以及出色的電源性能。它支持靈活功率級(jí)控制，將 VTT 置于高阻抗?fàn)顟B(tài)（處于 S3）并在 S4/S5 狀態(tài)下對(duì) VDDQ、VTT 和 VTTREF 進(jìn)行放電（軟關(guān)閉）。
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查看全部 3 | 頂層文檔 | 類型 | 標(biāo)題 | 格式選項(xiàng) | 下載最新的英語(yǔ)版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | TPS51216-EP 具有同步降壓控制器、2A LDO 和緩沖基準(zhǔn)的完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲(chǔ)器電源解決方案 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英語(yǔ)版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2022年 7月 21日 |
| * | VID | TPS51216-EP VID V6216601 | 2018年 3月 27日 | |||
| * | 輻射與可靠性報(bào)告 | TPS51216MRUKREP Reliability Report | 2016年 4月 11日 |
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|---|---|---|
| WQFN (RUK) | 20 | Ultra Librarian |
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- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
- MTBF/時(shí)基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
- 制造廠地點(diǎn)
- 封裝廠地點(diǎn)
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