TPS51216-EP

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增強型產品完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器電源解決方案同步降壓控制器

產品詳情

Product type DDR Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.7 Vout (max) (V) 1.8 Features Shutdown Pin for S3 Rating HiRel Enhanced Product Operating temperature range (°C) -55 to 125 Iq (typ) (mA) 0.6 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR2, LPDDR3
Product type DDR Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.7 Vout (max) (V) 1.8 Features Shutdown Pin for S3 Rating HiRel Enhanced Product Operating temperature range (°C) -55 to 125 Iq (typ) (mA) 0.6 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR2, LPDDR3
WQFN (RUK) 20 9 mm2 3 x 3
  • 同步降壓控制器 (VDDQ)
    • 轉換電壓范圍：3 至 28 V
    • 輸出電壓范圍：0.7 至 1.8 V
    • 0.8% VREF 精度
    • D-CAP? 模式，可實現快速瞬態響應
    • 可選 300kHz/400kHz 開關頻率
    • 自動跳過功能優化了輕負載和重負載時的效率
    • 支持 S4/S5 狀態下的軟關閉
    • OCL/OVP/UVP/UVLO 保護
    • 電源正常輸出
  • 2A LDO (VTT)、緩沖基準 (VTTREF)
    • 2A（峰值）灌電流和拉電流
    • 只需 10μF 陶瓷輸出電容
    • 經緩沖的低噪聲 10mA VTTREF 輸出
    • 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
    • 在 S3 下支持高阻抗，在 S4/S5 下支持軟關閉
  • 熱關斷
  • 20 引腳 3mm × 3mm WQFN 封裝
  • 支持國防、航天和醫療應用
    • 受控基線
    • 一個組裝/測試基地
    • 一個制造基地
    • 支持軍用（-55°C 至 125°C）溫度范圍，(1)
    • 延長了產品生命周期
    • 延長了產品變更通知
    • 產品可追溯性

(1)提供額外的溫度范圍 - 請聯系工廠
  • 同步降壓控制器 (VDDQ)
    • 轉換電壓范圍：3 至 28 V
    • 輸出電壓范圍：0.7 至 1.8 V
    • 0.8% VREF 精度
    • D-CAP? 模式，可實現快速瞬態響應
    • 可選 300kHz/400kHz 開關頻率
    • 自動跳過功能優化了輕負載和重負載時的效率
    • 支持 S4/S5 狀態下的軟關閉
    • OCL/OVP/UVP/UVLO 保護
    • 電源正常輸出
  • 2A LDO (VTT)、緩沖基準 (VTTREF)
    • 2A（峰值）灌電流和拉電流
    • 只需 10μF 陶瓷輸出電容
    • 經緩沖的低噪聲 10mA VTTREF 輸出
    • 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
    • 在 S3 下支持高阻抗，在 S4/S5 下支持軟關閉
  • 熱關斷
  • 20 引腳 3mm × 3mm WQFN 封裝
  • 支持國防、航天和醫療應用
    • 受控基線
    • 一個組裝/測試基地
    • 一個制造基地
    • 支持軍用（-55°C 至 125°C）溫度范圍，(1)
    • 延長了產品生命周期
    • 延長了產品變更通知
    • 產品可追溯性

(1)提供額外的溫度范圍 - 請聯系工廠

TPS51216-EP 以最少總成本和最小空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器系統提供完整的電源。它將同步降壓穩壓器控制器 (VDDQ) 與 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO (VTT) 和緩沖低噪聲基準 (VTTREF) 相集成。TPS51216-EP 采用 D-CAP™ 模式與 300kHz/400kHz 頻率相結合，以實現易用性和快速瞬態響應。VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度優于 0.8%。能夠提供 2A 灌電流/拉電流峰值電流功能的 VTT 只需 10µF 的陶瓷電容器。此外，還提供專用的 LDO 電源輸入。

TPS51216-EP 提供豐富、實用的功能以及出色的電源性能。它支持靈活功率級控制，將 VTT 置于高阻抗狀態（處于 S3）并在 S4/S5 狀態下對 VDDQ、VTT 和 VTTREF 進行放電（軟關閉）。

TPS51216-EP 以最少總成本和最小空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器系統提供完整的電源。它將同步降壓穩壓器控制器 (VDDQ) 與 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO (VTT) 和緩沖低噪聲基準 (VTTREF) 相集成。TPS51216-EP 采用 D-CAP™ 模式與 300kHz/400kHz 頻率相結合，以實現易用性和快速瞬態響應。VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度優于 0.8%。能夠提供 2A 灌電流/拉電流峰值電流功能的 VTT 只需 10µF 的陶瓷電容器。此外，還提供專用的 LDO 電源輸入。

TPS51216-EP 提供豐富、實用的功能以及出色的電源性能。它支持靈活功率級控制，將 VTT 置于高阻抗狀態（處于 S3）并在 S4/S5 狀態下對 VDDQ、VTT 和 VTTREF 進行放電（軟關閉）。
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* 數據表 TPS51216-EP 具有同步降壓控制器、2A LDO 和緩沖基準的完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器電源解決方案 數據表 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 7月 21日
* VID TPS51216-EP VID V6216601 2018年 3月 27日
* 輻射與可靠性報告 TPS51216MRUKREP Reliability Report 2016年 4月 11日

設計和開發

如需其他信息或資源，請點擊以下任一標題進入詳情頁面查看（如有）。

仿真模型

TPS51216 PSpice Transient Model

SLUM395.ZIP (67 KB) - PSpice Model
下載
仿真模型

TPS51216 TINA-TI Transient Reference Design

SLUM459.TSC (648 KB) - TINA-TI Reference Design
下載
仿真模型

TPS51216 TINA-TI Transient Spice Model

SLUM458.ZIP (72 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
WQFN (RUK) 20 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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支持和培訓

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