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TPS51206

正在供貨

具有用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 緩沖基準的 2A 峰值灌電流/拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器

產(chǎn)品詳情

Product type DDR Vin (min) (V) 1 Vin (max) (V) 3.5 Vout (min) (V) 0.5 Vout (max) (V) 0.9 Features S3/S5 Support Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 105 Iq (typ) (mA) 0.17 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
Product type DDR Vin (min) (V) 1 Vin (max) (V) 3.5 Vout (min) (V) 0.5 Vout (max) (V) 0.9 Features S3/S5 Support Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 105 Iq (typ) (mA) 0.17 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
WSON (DSQ) 10 4 mm2 2 x 2
  • 電源輸入電壓：支持 3.3V 和 5V 電源軌
  • VLDOIN 輸入電壓范圍：VTT+0.4V 至 3.5V
  • VTT 端接穩(wěn)壓器
    • 輸出電壓范圍：0.5V 至 0.9V
    • 2A 峰值灌電流和拉電流
    • 僅需 10μF 的多層陶瓷電容 (MLCC) 輸出電容
    • ±20mV 精度
  • VTTREF 緩沖參考輸出
    • VDDQ/2 ± 1% 精度
    • 10mA 灌/拉電流
  • 支持高阻態(tài)（S3 狀態(tài)）和軟停止（S4 和 S5 狀態(tài)），通過 S3 和 S5 輸入選擇
  • 過熱保護
  • 10 引腳 2mm × 2mm 小外形尺寸無引線 (SON) (DSQ) 封裝
  • 電源輸入電壓：支持 3.3V 和 5V 電源軌
  • VLDOIN 輸入電壓范圍：VTT+0.4V 至 3.5V
  • VTT 端接穩(wěn)壓器
    • 輸出電壓范圍：0.5V 至 0.9V
    • 2A 峰值灌電流和拉電流
    • 僅需 10μF 的多層陶瓷電容 (MLCC) 輸出電容
    • ±20mV 精度
  • VTTREF 緩沖參考輸出
    • VDDQ/2 ± 1% 精度
    • 10mA 灌/拉電流
  • 支持高阻態(tài)（S3 狀態(tài)）和軟停止（S4 和 S5 狀態(tài)），通過 S3 和 S5 輸入選擇
  • 過熱保護
  • 10 引腳 2mm × 2mm 小外形尺寸無引線 (SON) (DSQ) 封裝

TPS51206 器件是具有 VTTREF 緩沖基準輸出的灌電流/拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器。該器件專門針對低輸入電壓、低成本、低外部組件數(shù)的空間受限型系統(tǒng)而設計。該器件可保持快速的瞬態(tài)響應，并且僅需 1 個 10µF 的陶瓷輸出電容。該器件支持遙感功能，并且可滿足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 總線的所有電源要求。VTT 具有 ±2A 峰值電流能力。該器件支持所有 DDR 電源狀態(tài)，在 S3 狀態(tài)下將 VTT 置于高阻態(tài)（掛起到 RAM）；在 S4/S5 狀態(tài)下使 VTT 和 VTTREF 放電（掛起到磁盤）。

TPS51206 器件采用 10 引腳 2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD™封裝，額定工作溫度范圍為 –40°C 至 105°C。

TPS51206 器件是具有 VTTREF 緩沖基準輸出的灌電流/拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器。該器件專門針對低輸入電壓、低成本、低外部組件數(shù)的空間受限型系統(tǒng)而設計。該器件可保持快速的瞬態(tài)響應，并且僅需 1 個 10µF 的陶瓷輸出電容。該器件支持遙感功能，并且可滿足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 總線的所有電源要求。VTT 具有 ±2A 峰值電流能力。該器件支持所有 DDR 電源狀態(tài)，在 S3 狀態(tài)下將 VTT 置于高阻態(tài)（掛起到 RAM）；在 S4/S5 狀態(tài)下使 VTT 和 VTTREF 放電（掛起到磁盤）。

TPS51206 器件采用 10 引腳 2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD™封裝，額定工作溫度范圍為 –40°C 至 105°C。
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技術(shù)文檔

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類型 標題 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 適用于 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 且具有 VTTREF 緩沖基準的 TPS51206 2A 峰值灌電流/拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器 數(shù)據(jù)表 (Rev. E) PDF | HTML 英語版 (Rev.E) PDF | HTML 2019年 1月 23日
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選擇指南 電源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
選擇指南 電源管理指南 2018 (Rev. R) 2018年 6月 25日
更多文獻資料 Computing DDR DC-DC Power Solutions 2012年 8月 22日
用戶指南 TPS51206EVM-745 User's Guide 2011年 8月 5日
應用手冊 Pwr Ref Design f/'C6472 12-Vin Digital Pwr Controllers and LDOs 2010年 4月 28日
應用手冊 Power Two Xilinx(TM) LX240 Virtex-6(TM) Devices 2010年 4月 20日
應用手冊 Power Ref Design for TMS320C6472 5Vin DC/DC Converters (1x C6472) 2010年 3月 31日
應用手冊 'C6472 12Vin Flexible Pwr Design Using DCDC Controllers and LDOs (8x C6472) 2010年 3月 26日
應用手冊 Power Reference Design for the 'C6472, 12V DCDC Controllers, and LDOs 2010年 3月 26日
應用手冊 TMS320C6472 5V Input Pwr Design, Integrated FET DC/DC Converters and Controllers 2010年 3月 26日

設計和開發(fā)

電源解決方案

了解包含 TPS51206 的解決方案。TI 提供適用于 TI 和非 TI 片上系統(tǒng) (SoC)、處理器、微控制器、傳感器和現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 的電源解決方案。
評估板

TPS51206EVM-745 — 具有 VTTREF 緩沖基準的 2A 峰值灌電流/拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器

TPS51206EVM-745 評估模塊（EVM）采用了 TPS51206 器件。TPS51206 是一款具有 VTTREF 緩沖參考輸出的灌電流/拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器。該器件專門針對低輸入電壓、低成本、低外部元件數(shù)的空間受限型系統(tǒng)而設計。TPS51206EVM-745 旨在為 DDR 存儲器提供適當?shù)慕K止電壓和 10mA 緩沖基準電壓，該存儲器涵蓋 DDR2 (0.9VTT)、DDR3 (0.75VTT)、DDR3L (0.675VTT) 和 DDR4 (0.6VTT) 規(guī)格，并具有超少的外部元件。

用戶指南: PDF
TI.com 上無現(xiàn)貨
仿真模型

TPS51206 PSpice Transient Model

SLUM198.ZIP (56 KB) - PSpice Model
下載
仿真模型

TPS51206 TINA-TI Transient Reference Design

SLUM249.TSC (142 KB) - TINA-TI Reference Design
下載
仿真模型

TPS51206 TINA-TI Transient Spice Model

SLUM248.ZIP (42 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
參考設計

TIDA-010011 — 適用于保護繼電器處理器模塊的高效電源架構(gòu)參考設計

該參考設計展示了各種電源架構(gòu)，這些架構(gòu)可為需要 >1A 負載電流和高效率的應用處理器模塊生成多個電壓軌。所需的電源通過來自背板的 5V、12V 或 24V 直流輸入生成。電源通過帶集成 FET 的直流/直流轉(zhuǎn)換器生成并且使用帶集成電感器的電源模塊以減小尺寸。此設計采用 HotRod? 封裝類型，適用于需要低 EMI 的應用，也非常適合設計時間受限的應用。其他功能包括 DDR 端接穩(wěn)壓器、輸入電源 OR-ing、電壓時序控制、過載保護電子保險絲以及電壓和負載電流監(jiān)控。該設計可以用于處理器、數(shù)字信號處理器和現(xiàn)場可編程門陣列。該設計已依照 CISPR22 標準針對輻射發(fā)射進行了測試，符合 A (...)
原理圖: PDF
參考設計

PMP21065 — 適用于機頂盒的超低待機功耗、高效率的直流-直流電源參考設計

PMP21065 參考設計通過典型的 12V 直流輸入產(chǎn)生當今機頂盒中常見的電源軌。此設計的主要目標是實現(xiàn)低成本、小尺寸、低待機功耗以及高效率，從而幫助客戶滿足有關(guān) STB 功耗的新監(jiān)管準則。
測試報告: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
WSON (DSQ) 10 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設計。

支持和培訓

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