TPS51200A-Q1

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灌電流和拉電流 DDR 終端穩壓器

產品詳情

Product type DDR Vin (min) (V) 1.1 Vin (max) (V) 3.5 Vout (min) (V) -0.3 Vout (max) (V) 3.6 Features S3/S5 Support Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Iq (typ) (mA) 0.5 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
Product type DDR Vin (min) (V) 1.1 Vin (max) (V) 3.5 Vout (min) (V) -0.3 Vout (max) (V) 3.6 Features S3/S5 Support Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Iq (typ) (mA) 0.5 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
VSON (DRC) 10 9 mm2 3 x 3
  • 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 AEC-Q100 標準：
    • 器件溫度等級 1：
      –40°C ≤ TA ≤ 125°C
    • 器件 HBM ESD 分類等級 2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 擴展的可靠性測試
  • 輸入電壓：支持 2.5V 和 3.3V 電源軌
  • VLDOIN 電壓范圍：1.1V 至 3.5V
  • 具有壓降補償功能的灌電流和拉電流終端穩壓器
  • 所需最小輸出電容為 20μF（通常為 3 × 10μF MLCC），用于存儲器終端 應用 (DDR)
  • 用于監視輸出穩壓的 PGOOD
  • EN 輸入
  • REFIN 輸入允許直接或通過電阻分壓器靈活進行輸入跟蹤
  • 遠程檢測 (VOSNS)
  • ±10mA 緩沖基準 (REFOUT)
  • 內置軟啟動、UVLO 和 OCL
  • 熱關斷
  • 符合 DDR、DDR2 JEDEC 規范；支持 DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 應用
  • 帶外露散熱焊盤的 VSON-10 封裝
  • 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 AEC-Q100 標準：
    • 器件溫度等級 1：
      –40°C ≤ TA ≤ 125°C
    • 器件 HBM ESD 分類等級 2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 擴展的可靠性測試
  • 輸入電壓：支持 2.5V 和 3.3V 電源軌
  • VLDOIN 電壓范圍：1.1V 至 3.5V
  • 具有壓降補償功能的灌電流和拉電流終端穩壓器
  • 所需最小輸出電容為 20μF（通常為 3 × 10μF MLCC），用于存儲器終端 應用 (DDR)
  • 用于監視輸出穩壓的 PGOOD
  • EN 輸入
  • REFIN 輸入允許直接或通過電阻分壓器靈活進行輸入跟蹤
  • 遠程檢測 (VOSNS)
  • ±10mA 緩沖基準 (REFOUT)
  • 內置軟啟動、UVLO 和 OCL
  • 熱關斷
  • 符合 DDR、DDR2 JEDEC 規范；支持 DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 應用
  • 帶外露散熱焊盤的 VSON-10 封裝

TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數據速率 (DDR) 終端穩壓器，專門針對低輸入電壓、低成本、低噪聲的空間受限型系統而設計。

此器件可保持快速的瞬態響應，最低僅需 20µF 輸出電容。此器件支持遙感功能，并且可滿足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。

此外，該器件還提供一個開漏 PGOOD 信號來監測輸出穩壓，并提供一個 EN 信號在 S3（掛起至 RAM）期間針對 DDR 應用進行 VTT 放電。

此器件采用高效散熱型 VSON-10 封裝，具有綠色環保和無鉛的特性。該器件的額定溫度范圍為 –40°C 至 125°C。

TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數據速率 (DDR) 終端穩壓器，專門針對低輸入電壓、低成本、低噪聲的空間受限型系統而設計。

此器件可保持快速的瞬態響應，最低僅需 20µF 輸出電容。此器件支持遙感功能，并且可滿足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。

此外，該器件還提供一個開漏 PGOOD 信號來監測輸出穩壓，并提供一個 EN 信號在 S3（掛起至 RAM）期間針對 DDR 應用進行 VTT 放電。

此器件采用高效散熱型 VSON-10 封裝，具有綠色環保和無鉛的特性。該器件的額定溫度范圍為 –40°C 至 125°C。
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* 數據表 TPS51200A-Q1 灌電流和拉電流 DDR 終端穩壓器 數據表 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2019年 3月 11日
應用手冊 DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A) 2020年 7月 9日

設計和開發

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評估板

TPS51200EVM — TPS51200 灌電流/拉電流 DDR 終端穩壓器

TPS51200EVM 評估板 HPA322A 旨在評估 TI 的低成本 DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 終端穩壓器 TPS51200 的性能特性。TPS51200 旨在為 DDR 存儲器提供適當的終止電壓和 10mA 緩沖基準電壓，該存儲器涵蓋 DDR (2.5V/1.25V)、DDR2 (1.8V/0.9V)、DDR3 (1.5V/0.75V)、LP DDR3 (1.2V/0.6V) 規格，并具有超少的外部元件。

用戶指南: PDF
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參考設計

TIDA-050071 — 用于 ADAS 和信息娛樂系統應用的無電池處理器電源參考設計

汽車無電池處理器電源參考設計提供了一種多功能受保護電源樹，用于為常見的高級駕駛輔助系統 (ADAS) 和信息娛樂系統處理器（如 TDA4x-Q1 和 AM6x-Q1）供電。所述的處理器可與傳感器融合系統、攝像頭模塊和域控制器配合使用。詳細指南可幫助設計人員創建受保護的電源系統。為雙倍數據速率 (DDR) 存儲器和輔助負載提供了額外的電源軌。該設計包含用于對電源軌電壓和時序進行編程的板載 MSPM0 微控制器 (MCU)。
設計指南: PDF
參考設計

PMP30785 — 面向驅動監控系統的汽車多軌電源參考設計

此參考設計展示了用于驅動監控系統的電子控制單元 (ECU) 的非隔離式汽車電源的性能參考設計包括帶九個電源插座的電源產品組合。
測試報告: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VSON (DRC) 10 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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