TPS51116

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全套 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 電源解決方案同步降壓控制器、3A LDO

產品詳情

Product type DDR Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.75 Vout (max) (V) 3 Features Complete Solution, Shutdown Pin for S3 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Iq (typ) (mA) 0.8 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
Product type DDR Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.75 Vout (max) (V) 3 Features Complete Solution, Shutdown Pin for S3 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Iq (typ) (mA) 0.8 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
HTSSOP (PWP) 20 41.6 mm2 6.5 x 6.4 VQFN (RGE) 24 16 mm2 4 x 4
  • 同步降壓控制器 (VDDQ)
    • 寬輸入電壓范圍: 3.0V 至 28V
    • 負載階躍響應為 100ns 的 D?CAP? 模式
    • 電流模式選項支持陶瓷輸出電容器
    • 支持 S4/S5 狀態內的軟關閉
    • 利用RDS(on) 或電阻器進行電流檢測
    • 2.5V (DDR)、1.8V (DDR2)，可調節至
      1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V（LPDDR3 和 DDR4）或
      輸出范圍 0.75V 至 3.0V
    • 配備有電源正常、過壓保護和欠壓保護
  • 3A LDO (VTT)，經緩沖基準 (VREF)
    • 拉電流和灌電流的能力達到 3A
    • 提供 LDO 輸入以優化功率損耗
    • 只需 20μF 陶瓷輸出電容器
    • 經緩沖的低噪聲 10mA VREF 輸出
    • 針對 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度
    • 在 S3 中支持高阻抗 (high-Z)，在 S4/S5 中支持軟關閉
    • 熱關斷
  • 同步降壓控制器 (VDDQ)
    • 寬輸入電壓范圍: 3.0V 至 28V
    • 負載階躍響應為 100ns 的 D?CAP? 模式
    • 電流模式選項支持陶瓷輸出電容器
    • 支持 S4/S5 狀態內的軟關閉
    • 利用RDS(on) 或電阻器進行電流檢測
    • 2.5V (DDR)、1.8V (DDR2)，可調節至
      1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V（LPDDR3 和 DDR4）或
      輸出范圍 0.75V 至 3.0V
    • 配備有電源正常、過壓保護和欠壓保護
  • 3A LDO (VTT)，經緩沖基準 (VREF)
    • 拉電流和灌電流的能力達到 3A
    • 提供 LDO 輸入以優化功率損耗
    • 只需 20μF 陶瓷輸出電容器
    • 經緩沖的低噪聲 10mA VREF 輸出
    • 針對 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度
    • 在 S3 中支持高阻抗 (high-Z)，在 S4/S5 中支持軟關閉
    • 熱關斷

TPS51116 提供一個用于 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內存系統的完整電源。它集成了一個具有 3A 拉電流/灌電流跟蹤線性穩壓器和經緩沖的低噪聲基準的同步降壓控制器。該器件在空間受限的系統中提供最低的總解決方案成本。同步控制器運行具有自適應接通時間控制的定頻 400kHz、偽恒定頻率脈寬調制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 中配置™易于使用和最快瞬態響應或者電流模式以支持陶瓷輸出電容器。3A 拉電流/灌電流 LDO 只需 20µF (2 × 10µF) 陶瓷輸出電容器即可保持快速瞬態響應。此外，LDO 電源輸入是外部可用的，這樣可大大減少總體功耗。該器件支持所有睡眠狀態控制，此類控制在 S3（掛起到 RAM）中將 VTT 置于 high-Z 狀態并且在 S4/S5（掛起到硬盤）中將 VDDQ、VTT 和 VTTREF（軟關閉）放電。該器件還具有全部保護 特性， 包括熱關斷保護，并且提供 20 引腳 HTSSOP PowerPAD™封裝和 24 引腳 4 × 4 QFN 封裝。

TPS51116 提供一個用于 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內存系統的完整電源。它集成了一個具有 3A 拉電流/灌電流跟蹤線性穩壓器和經緩沖的低噪聲基準的同步降壓控制器。該器件在空間受限的系統中提供最低的總解決方案成本。同步控制器運行具有自適應接通時間控制的定頻 400kHz、偽恒定頻率脈寬調制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 中配置™易于使用和最快瞬態響應或者電流模式以支持陶瓷輸出電容器。3A 拉電流/灌電流 LDO 只需 20µF (2 × 10µF) 陶瓷輸出電容器即可保持快速瞬態響應。此外，LDO 電源輸入是外部可用的，這樣可大大減少總體功耗。該器件支持所有睡眠狀態控制，此類控制在 S3（掛起到 RAM）中將 VTT 置于 high-Z 狀態并且在 S4/S5（掛起到硬盤）中將 VDDQ、VTT 和 VTTREF（軟關閉）放電。該器件還具有全部保護 特性， 包括熱關斷保護，并且提供 20 引腳 HTSSOP PowerPAD™封裝和 24 引腳 4 × 4 QFN 封裝。
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設計和開發

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TPS51116EVM-001 — TPS51116 存儲器電源解決方案，同步降壓控制器評估模塊

The TPS51116EVM evaluation module (EVM) is a dual-output converter for DDR and DDRII memory modules. It uses a 10 A synchronous buck converter to provide the core voltage (VDDQ) for DDR memory modules. The EVM is designed to use a 4.5 V to 28 V supply voltage and a 4.75 V to (...)

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TPS51116 PSpice Transient Model (Rev. B)

SLIM076B.ZIP (101 KB) - PSpice Model
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SLUM166.TSC (224 KB) - TINA-TI Reference Design
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TPS51116 TINA-TI Transient Spice Model

SLUM167.ZIP (58 KB) - TINA-TI Spice Model
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封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
HTSSOP (PWP) 20 Ultra Librarian
VQFN (RGE) 24 Ultra Librarian

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包含信息：
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  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
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  • 鑒定摘要
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