產品詳情

Number of channels 4 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Package name SC70-6, SOT-5X3 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 45 IO capacitance (typ) (pF) 0.7 IEC 61000-4-2 contact (±V) 12000 IEC 61000-4-5 (A) 3 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 10.9 Dynamic resistance (typ) 1 Interface type General purpose, LVDS, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 7 IO leakage current (max) (nA) 0.5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of channels 4 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Package name SC70-6, SOT-5X3 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 45 IO capacitance (typ) (pF) 0.7 IEC 61000-4-2 contact (±V) 12000 IEC 61000-4-5 (A) 3 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 10.9 Dynamic resistance (typ) 1 Interface type General purpose, LVDS, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 7 IO leakage current (max) (nA) 0.5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-5X3 (DRL) 6 2.56 mm2 1.6 x 1.6 SOT-SC70 (DCK) 6 4.2 mm2 2 x 2.1
  • 超低漏電流為 0.5nA(最大值)
  • 針對 4 條 I/O 線路的瞬態保護:
    • IEC 61000-4-2 接觸放電 ±12kV
    • IEC 61000-4-2 空氣間隙放電 ±15kV
    • IEC 61000-4-5 浪涌 3.0A (8/20μs)
  • I/O 電容 0.7pF(典型值)
  • 雙向 ESD 保護二極管陣列
  • 低 ESD 鉗位電壓
  • 工業級溫度范圍:-40°C 至 125°C
  • 易于布線的小型 DRL 和 DCK 封裝
  • 超低漏電流為 0.5nA(最大值)
  • 針對 4 條 I/O 線路的瞬態保護:
    • IEC 61000-4-2 接觸放電 ±12kV
    • IEC 61000-4-2 空氣間隙放電 ±15kV
    • IEC 61000-4-5 浪涌 3.0A (8/20μs)
  • I/O 電容 0.7pF(典型值)
  • 雙向 ESD 保護二極管陣列
  • 低 ESD 鉗位電壓
  • 工業級溫度范圍:-40°C 至 125°C
  • 易于布線的小型 DRL 和 DCK 封裝

TPD4E1B06 是一款 4 通道雙向靜電放電 (ESD) 保護二極管陣列。這款器件具有超低漏電流 (0.5nA),可實現精確模擬測量。±12kV 接觸和 ±15kV 空氣間隙 ESD 保護超過 IEC 61000-4-2 4 級要求。TPD4E1B06 器件的 0.7pF 線路電容值使其非常適合精密模擬、USB2.0、以太網、SATA、LVDS 和 1394 接口等應用。

TPD4E1B06 是一款 4 通道雙向靜電放電 (ESD) 保護二極管陣列。這款器件具有超低漏電流 (0.5nA),可實現精確模擬測量。±12kV 接觸和 ±15kV 空氣間隙 ESD 保護超過 IEC 61000-4-2 4 級要求。TPD4E1B06 器件的 0.7pF 線路電容值使其非常適合精密模擬、USB2.0、以太網、SATA、LVDS 和 1394 接口等應用。

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白皮書 Designing USB for short-to-battery tolerance in automotive environments 2016年 2月 10日

設計和開發

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評估板

ESDEVM — 適用于 ESD 二極管封裝(包括 0402、0201 等)的通用評估模塊

靜電敏感器件 (ESD) 評估模塊 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 產品系列的開發平臺。為了測試任何型號的器件,該電路板支持所有傳統的 ESD 封裝結構。器件可以焊接到相應封裝結構,然后進行測試。如果是典型的高速 ESD 二極管,則應采用阻抗受控布局來獲取 S 參數并剝離電路板引線。如果是非高速 ESD 二極管,則應采用有布線連接到測試點的封裝結構,以便輕松運行直流測試,例如擊穿電壓、保持電壓、漏電流等。該電路板布局布線還可以通過將信號引腳短接至信號所在的位置,輕松地將任何器件引腳連接到電源 (VCC) 或地。
用戶指南: PDF | HTML
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仿真模型

TPD4E1B06 IBIS Model (Rev. A)

SLVM743A.ZIP (3 KB) - IBIS Model
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOT-5X3 (DRL) 6 Ultra Librarian
SOT-SC70 (DCK) 6 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息:
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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支持和培訓

視頻