產品詳情

Number of channels 1 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Bi-directional Package name DFN0603, DFN1006 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 15 IO capacitance (typ) (pF) 0.13 IEC 61000-4-2 contact (±V) 8000 IEC 61000-4-5 (A) 1.7 Clamping voltage (V) 7.2 Dynamic resistance (typ) 1 Interface type DisplayPort, NFC / Antenna, USB Type-C Breakdown voltage (min) (V) 6.7 IO leakage current (max) (nA) 10 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of channels 1 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Bi-directional Package name DFN0603, DFN1006 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 15 IO capacitance (typ) (pF) 0.13 IEC 61000-4-2 contact (±V) 8000 IEC 61000-4-5 (A) 1.7 Clamping voltage (V) 7.2 Dynamic resistance (typ) 1 Interface type DisplayPort, NFC / Antenna, USB Type-C Breakdown voltage (min) (V) 6.7 IO leakage current (max) (nA) 10 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
X1SON (DPY) 2 0.6 mm2 1 x 0.6 X2SON (DPL) 2 0.18 mm2 0.6 x 0.3
  • IEC 61000-4-2 4 級(接觸)ESD 保護
    • ±8kV 接觸放電
    • ±9kV 空氣間隙放電
  • IEC 61000-4-4 EFT 保護
    • 80A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保護
    • 1.7A (8/20μs)
  • IO 電容:0.13 至 0.15pF(典型值)、0.15 至 0.18pF(最大值)
  • 直流擊穿電壓:6.7V(典型值)
  • 超低漏電流:10nA(最大值)
  • 低 ESD 鉗位電壓
  • 支持速率高達 60Gbps 的高速接口
  • 低插入損耗:>30GHz(-3dB 帶寬)
  • 工業溫度范圍:-40°C 至 +125°C
  • 超小型 0201 和 0402 封裝
  • IEC 61000-4-2 4 級(接觸)ESD 保護
    • ±8kV 接觸放電
    • ±9kV 空氣間隙放電
  • IEC 61000-4-4 EFT 保護
    • 80A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保護
    • 1.7A (8/20μs)
  • IO 電容:0.13 至 0.15pF(典型值)、0.15 至 0.18pF(最大值)
  • 直流擊穿電壓:6.7V(典型值)
  • 超低漏電流:10nA(最大值)
  • 低 ESD 鉗位電壓
  • 支持速率高達 60Gbps 的高速接口
  • 低插入損耗:>30GHz(-3dB 帶寬)
  • 工業溫度范圍:-40°C 至 +125°C
  • 超小型 0201 和 0402 封裝

TPD1E0B04 是一款雙向 TVS ESD 保護二極管陣列,用于為 USB Type-C 和 Thunderbolt 4 電路提供保護。TPD1E0B04 的額定 ESD 沖擊消散值達到了 IEC 61000-4-2(4 級)國際標準中規定的最高水平。

該器件具有每通道 0.13pF 的 IO 電容(DPL 封裝),使其非常適合保護速率高達 60Gbps 的高速接口,例如 USB 4.0 及以下版本、Thunderbolt 4 以及天線。低動態電阻和低鉗位電壓可針對瞬變事件提供系統級保護。

TPD1E0B04 采用業界通用的 0201 (DPL) 和 0402 (DPY) 封裝。

TPD1E0B04 是一款雙向 TVS ESD 保護二極管陣列,用于為 USB Type-C 和 Thunderbolt 4 電路提供保護。TPD1E0B04 的額定 ESD 沖擊消散值達到了 IEC 61000-4-2(4 級)國際標準中規定的最高水平。

該器件具有每通道 0.13pF 的 IO 電容(DPL 封裝),使其非常適合保護速率高達 60Gbps 的高速接口,例如 USB 4.0 及以下版本、Thunderbolt 4 以及天線。低動態電阻和低鉗位電壓可針對瞬變事件提供系統級保護。

TPD1E0B04 采用業界通用的 0201 (DPL) 和 0402 (DPY) 封裝。

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設計和開發

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評估板

DS90UB971-Q1EVM — DS90UB971-Q1 評估模塊

DS90UB971-Q1 評估模塊 (EVM) 是一款設計用于評估 DS90UB971-Q1 FPD-Link IV 串行器的功能電路板。DS90UB971-Q1 串行器是第一代 FPD-Link IV 串行器,旨在支持包括 8MP+ 成像儀、衛星雷達、激光雷達和飛行時間 (ToF) 傳感器在內的超高速傳感器。該芯片提供 8.4Gbps 正向通道和超低延遲的 52.5Mbps 雙向控制通道,并支持通過單根同軸電纜供電 (PoC)。DS90UB971-Q1 還支持使用 STP 電纜,從而實現正向通道和反向通道功能。DS90UB971-Q1 具有先進的數據保護和診斷功能,可支持 ADAS (...)
評估板

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靜電敏感器件 (ESD) 評估模塊 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 產品系列的開發平臺。為了測試任何型號的器件,該電路板支持所有傳統的 ESD 封裝結構。器件可以焊接到相應封裝結構,然后進行測試。如果是典型的高速 ESD 二極管,則應采用阻抗受控布局來獲取 S 參數并剝離電路板引線。如果是非高速 ESD 二極管,則應采用有布線連接到測試點的封裝結構,以便輕松運行直流測試,例如擊穿電壓、保持電壓、漏電流等。該電路板布局布線還可以通過將信號引腳短接至信號所在的位置,輕松地將任何器件引腳連接到電源 (VCC) 或地。
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仿真模型

TPD1E0B04 IBIS Model

SLVMBO4.ZIP (2 KB) - IBIS Model
仿真模型

TPD1E0B04 S-Parameter Model

SLVMBO1.ZIP (15 KB) - IBIS Model
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
X1SON (DPY) 2 Ultra Librarian
X2SON (DPL) 2 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息:
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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