TPA3255-Q1

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汽車類 315W、2 通道、18V 至 53.5V 電源模擬輸入 D 類音頻放大器

產品詳情

Output power (W) 315 Power stage supply (max) (V) 53.5 Power stage supply (min) (V) 18 Speaker channels (max) 4 Audio input type Analog Input Control interface Hardware THD + N at 1 kHz (%) 0.006 Switching frequency (max) (Hz) 450000 Output noise voltage (μV) 85 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 105
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HTSSOP (DDV) 44 113.4 mm2 14 x 8.1
  • 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準
    • 溫度等級 2:–40°C 至 +105°C,TA
  • 差分模擬輸入
  • THD+N 為 10% 時的總輸出功率
    • 315W/4Ω,BTL 立體聲配置
    • 180W/8Ω,BTL 立體聲配置
    • 600W/2Ω,PBTL 單聲道配置
  • THD+N 為 1% 時的總輸出功率
    • 255W/4Ω,BTL 立體聲配置
    • 150W/8Ω,BTL 立體聲配置
    • 495W/2Ω,PBTL 單聲道配置
  • 具備高速柵極驅動器錯誤校正功能的高級集成式反饋設計
    • 高達 100kHz 的信號寬帶,用于高清 (HD) 源的高頻成分
    • 超低 THD+N:1W/4? 時為 0.006%;削波時 < 0.01%
    • 電源抑制比 (PSRR) > 65dB(BTL,1kHz,無輸入信號)
    • (A 加權)輸出噪聲 < 85μV
    • (A 加權)信噪比 (SNR) > 111dB
  • 多種配置可供選擇:
    • 立體聲、單聲道、2.1 和 4xSE
  • 啟動和停止時無喀噠聲和噼啪聲
  • 90% 高效 D 類操作 (4?)
  • 18V 至 53.5V 寬電源電壓工作范圍
  • 自保護設計(包括欠壓、過熱、削波和短路保護),并且具有錯誤報告功能
  • 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準
    • 溫度等級 2:–40°C 至 +105°C,TA
  • 差分模擬輸入
  • THD+N 為 10% 時的總輸出功率
    • 315W/4Ω,BTL 立體聲配置
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    • 600W/2Ω,PBTL 單聲道配置
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  • 具備高速柵極驅動器錯誤校正功能的高級集成式反饋設計
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    • 超低 THD+N:1W/4? 時為 0.006%;削波時 < 0.01%
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    • (A 加權)信噪比 (SNR) > 111dB
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  • 啟動和停止時無喀噠聲和噼啪聲
  • 90% 高效 D 類操作 (4?)
  • 18V 至 53.5V 寬電源電壓工作范圍
  • 自保護設計(包括欠壓、過熱、削波和短路保護),并且具有錯誤報告功能

TPA3255-Q1 是一款高性能 D 類功率放大器,可借助高效 D 類技術實現無與倫比的音質。該器件 特有 高級集成反饋設計和專有高速柵極驅動器錯誤校正功能(PurePath™ 超高清)。該技術可使器件在整個音頻頻帶內保持超低失真,同時展現完美音質。該器件在 AD 模式下工作,THD 為 10% 時最多可驅動 2 個 315W/4Ω 負載和 2 個 150W(未削波功率)/8Ω 負載,并且 具有 2VRMS 模擬輸入接口,可與高性能 DAC(如 TI 的 PCM5242)無縫配合使用。TPA3255-Q1 除具有卓越的音頻性能之外,還可實現較高的功效以及低于 2.5W 的超低功率級空閑損耗。這是通過使用 85mΩ MOSFET 和一個經優化的柵極驅動方案實現的,與典型的分立式實現相比,該方案可顯著降低空閑損耗。

TPA3255-Q1 是一款高性能 D 類功率放大器,可借助高效 D 類技術實現無與倫比的音質。該器件 特有 高級集成反饋設計和專有高速柵極驅動器錯誤校正功能(PurePath™ 超高清)。該技術可使器件在整個音頻頻帶內保持超低失真,同時展現完美音質。該器件在 AD 模式下工作,THD 為 10% 時最多可驅動 2 個 315W/4Ω 負載和 2 個 150W(未削波功率)/8Ω 負載,并且 具有 2VRMS 模擬輸入接口,可與高性能 DAC(如 TI 的 PCM5242)無縫配合使用。TPA3255-Q1 除具有卓越的音頻性能之外,還可實現較高的功效以及低于 2.5W 的超低功率級空閑損耗。這是通過使用 85mΩ MOSFET 和一個經優化的柵極驅動方案實現的,與典型的分立式實現相比,該方案可顯著降低空閑損耗。

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