產品詳情

Protocols Analog Configuration 1:1 SPST Number of channels 10 Bandwidth (MHz) 200 Supply voltage (max) (V) 3.6 Ron (typ) (mΩ) 5000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.6 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Input/output continuous current (max) (mA) 48 COFF (typ) (pF) 5 OFF-state leakage current (max) (μA) 1000 Ron (max) (mΩ) 40000 VIH (min) (V) Vref+180mV VIL (max) (V) Vref-180mV Rating Catalog
Protocols Analog Configuration 1:1 SPST Number of channels 10 Bandwidth (MHz) 200 Supply voltage (max) (V) 3.6 Ron (typ) (mΩ) 5000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.6 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Input/output continuous current (max) (mA) 48 COFF (typ) (pF) 5 OFF-state leakage current (max) (μA) 1000 Ron (max) (mΩ) 40000 VIH (min) (V) Vref+180mV VIL (max) (V) Vref-180mV Rating Catalog
SOIC (DW) 24 159.65 mm2 15.5 x 10.3
  • Enable Signal Is SSTL_2 Compatible
  • Flow-Through Architecture Optimizes PCB Layout
  • Designed for Use With 200 Mbit/s Double Data-Rate (DDR) SDRAM Applications
  • Switch On-State Resistance Is Designed to Eliminate Series Resistor to DDR SDRAM
  • Internal 10-k Pulldown Resistors to Ground on B Port
  • Internal 50-k Pullup Resistor on Output-Enable Input
  • Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • Enable Signal Is SSTL_2 Compatible
  • Flow-Through Architecture Optimizes PCB Layout
  • Designed for Use With 200 Mbit/s Double Data-Rate (DDR) SDRAM Applications
  • Switch On-State Resistance Is Designed to Eliminate Series Resistor to DDR SDRAM
  • Internal 10-k Pulldown Resistors to Ground on B Port
  • Internal 50-k Pullup Resistor on Output-Enable Input
  • Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II

This 10-bit FET bus switch is designed for 3-V to 3.6-V VCC operation and SSTL_2 output-enable (OE\) input levels.

When OE\ is low, the 10-bit bus switch is on, and port A is connected to port B. When OE\ is high, the switch is open, and the high-impedance state exists between the two ports. There are 10-k pulldown resistors to ground on the B port.

The FET switch on-state resistance is designed to replace the series terminating resistor in the SSTL_2 data path.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff feature ensures that damaging current will not backflow through the device when it is powered down. The device has isolation during power off.

This 10-bit FET bus switch is designed for 3-V to 3.6-V VCC operation and SSTL_2 output-enable (OE\) input levels.

When OE\ is low, the 10-bit bus switch is on, and port A is connected to port B. When OE\ is high, the switch is open, and the high-impedance state exists between the two ports. There are 10-k pulldown resistors to ground on the B port.

The FET switch on-state resistance is designed to replace the series terminating resistor in the SSTL_2 data path.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff feature ensures that damaging current will not backflow through the device when it is powered down. The device has isolation during power off.
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設計和開發

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接口適配器

LEADED-ADAPTER1 — 表面貼裝轉 DIP 接頭適配器，用于快速測試 TI 的 5、8、10、16 和 24 引腳引線式封裝。

EVM-LEADED1 電路板可用于對 TI 的常見引線式封裝進行快速測試和電路板試驗。? 該電路板具有足夠的空間，可將 TI 的 D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV 和 PW 表面貼裝封裝轉換為 100mil DIP 接頭。?????

用戶指南: PDF
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仿真模型

SN74CBTLV3857 IBIS Model

SCDM053.ZIP (28 KB) - IBIS Model
下載
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (DW) 24 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
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  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
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  • 鑒定摘要
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包含信息：
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