數據表
SN74CBT3383C
- 針對 A 端口和 B 端口上的斷開隔離提供高達 ?2V 的下沖保護
- 具有接近零傳播延遲的雙向數據流
- 低導通狀態電阻 (ron) 特性(ron 典型值 = 3?)
- 低輸入和輸出電容可更大程度減小負載和信號失真(Cio(OFF) 典型值 = 8pF)
- 數據與控制輸入提供下沖鉗位二極管
- 低功耗(ICC 最大值為 3μA)
- VCC 工作范圍為 4V 至 5.5V,數據 I/O 支持 0 至 5V 的信號電平(0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5V)
- 控制輸入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 輸出驅動
- Ioff 支持局部關斷模式運行
- 閂鎖性能超過 100mA,符合 JESD 78 II 類規范
- ESD 性能測試符合 JESD 22? 2000V 人體放電模型(A114-B,II 類)? 1000V 充電器件模型 (C101) 標準
- 支持數字和模擬應用:PCI 接口、內存交錯、總線隔離、低失真信號門控
SN74CBT3383C 是一種具備低導通狀態電阻 (ron) 的高速 TTL 兼容型 FET 總線交換開關,可實現超短傳播延遲。 SN74CBT3383C A 端口和 B 端口上的有源下沖保護電路可檢測下沖事件并確保開關保持正常斷開狀態,從而對高達 −2V 的下沖事件提供保護。
SN74CBT3383C 可配置為 10 位總線開關,或具有單路輸出使能 (be) 輸入的 5 位總線交換開關,可在四個信號端口之間提供數據交換。選擇 (BX) 輸入可控制總線交換開關的數據路徑。當 BE 為低電平時,A 端口連接到 B 端口,從而實現端口之間的雙向數據流。當 BE 為高電平時,A 和 B 端口之間為高阻抗狀態。
該器件完全符合使用 Ioff 的部分斷電應用的規范要求。Ioff 特性確保在關斷時防止損壞電流通過器件回流。該器件可在關斷時提供隔離。
為確保上電或斷電期間的高阻抗狀態,應通過一個上拉電阻器將 BE 連接至 VCC;該電阻器的最小阻值由驅動器的電流吸收能力來決定。
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接口適配器
LEADED-ADAPTER1 — 表面貼裝轉 DIP 接頭適配器,用于快速測試 TI 的 5、8、10、16 和 24 引腳引線式封裝。
EVM-LEADED1 電路板可用于對 TI 的常見引線式封裝進行快速測試和電路板試驗。? 該電路板具有足夠的空間,可將 TI 的 D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV 和 PW 表面貼裝封裝轉換為 100mil DIP 接頭。?????
用戶指南: PDF
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (DW) | 24 | Ultra Librarian |
| SSOP (DBQ) | 24 | Ultra Librarian |
| TSSOP (PW) | 24 | Ultra Librarian |
訂購和質量
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- 引腳鍍層/焊球材料
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