MMBZ30VCL
- 4.5pF（典型值）的超低 I/O 電容
- 低漏電流 <25nA
- 雙通道單向 ESD 保護(hù)或單通道雙向 ESD 保護(hù)
- IEC 61000-4-2 ESD 保護(hù)：
- ±30kV 接觸放電
- ±30kV 氣隙放電
- 溫度范圍：-55°C 至 +150°C
- 引線式封裝，用于自動光學(xué)檢測 (AOI)
MMBZ30VCL 是一款采用共陰極配置的雙通道單向或單通道雙向 ESD。該器件具有低電容和低漏電流特性，可用于高速應(yīng)用。低動態(tài)電阻允許低鉗位電壓，有助于保護(hù)系統(tǒng)免受瞬態(tài)事件的影響。
MMBZ30VCL 采用 SOT-23 封裝，可在節(jié)省空間的外形中提供可靠的雙通道瞬態(tài)保護(hù)。
設(shè)計(jì)和開發(fā)
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評估板
ESDEVM — 適用于 ESD 二極管封裝（包括 0402、0201 等）的通用評估模塊
靜電敏感器件 (ESD) 評估模塊 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 產(chǎn)品系列的開發(fā)平臺。為了測試任何型號的器件，該電路板支持所有傳統(tǒng)的 ESD 封裝結(jié)構(gòu)。器件可以焊接到相應(yīng)封裝結(jié)構(gòu)，然后進(jìn)行測試。如果是典型的高速 ESD 二極管，則應(yīng)采用阻抗受控布局來獲取 S 參數(shù)并剝離電路板引線。如果是非高速 ESD 二極管，則應(yīng)采用有布線連接到測試點(diǎn)的封裝結(jié)構(gòu)，以便輕松運(yùn)行直流測試，例如擊穿電壓、保持電壓、漏電流等。該電路板布局布線還可以通過將信號引腳短接至信號所在的位置，輕松地將任何器件引腳連接到電源 (VCC) 或地。
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOT-23 (DBZ) | 3 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件標(biāo)識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時(shí)基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
- 制造廠地點(diǎn)
- 封裝廠地點(diǎn)
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計(jì)。