LMG3650R025
- 具有集成式柵極驅(qū)動(dòng)器的 650V 25mΩ GaN 功率 FET
- >200V/ns FET 釋抑
- 可調(diào)壓擺率,用于優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能和緩解 EMI
- 10V/ns 至 80V/ns 導(dǎo)通壓擺率
- 10V/ns 至全速關(guān)斷壓擺率
- 可在電源引腳和輸入邏輯引腳電壓范圍為 9V 至 26V 的情況下運(yùn)行
- 強(qiáng)大的保護(hù)
- 響應(yīng)時(shí)間 <300ns 的逐周期過(guò)流和鎖存短路保護(hù)
- 可承受 720V 浪涌
- 針對(duì)內(nèi)部過(guò)熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)
- 高級(jí)電源管理
- LMG3656R025 包括零電壓檢測(cè)(ZVD)功能,便于轉(zhuǎn)換器的軟切換,
- LMG3657R025 包括零電流檢測(cè)(ZCD)功能,可促進(jìn)轉(zhuǎn)換器的軟切換,
- 帶有散熱焊盤(pán)的 9.8mm × 11.6mm TOLL 封裝
LMG365xR025 GaN FET 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,適用于開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,能夠讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度與效率。
可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度允許獨(dú)立地控制導(dǎo)通和最大關(guān)斷壓擺率,這可用于主動(dòng)控制 EMI 并優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。導(dǎo)通壓擺率從 10V/ns 到 80V/ns 不等,而關(guān)斷壓擺率限制在 10V/ns 至最大值之間。保護(hù)特性包括欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期過(guò)流限制,以及短路和過(guò)熱保護(hù)。LMG3651R025 在 LDO5V 引腳上提供 5V LDO 輸出,可用于為外部數(shù)字隔離器供電。LMG3656R025 包含零電壓檢測(cè) (ZVD) 功能,可在實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)時(shí)提供來(lái)自 ZVD 引腳的脈沖輸出。LMG3657R025 包含零電流檢測(cè) (ZCD) 功能,可在漏源電流為負(fù)時(shí)將 ZCD 引腳設(shè)置為高電平,并在檢測(cè)到過(guò)零點(diǎn)時(shí)轉(zhuǎn)換為低電平。
技術(shù)文檔
| 類(lèi)型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語(yǔ)版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 LMG365xR025 650V 25 mΩ GaN FET 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英語(yǔ)版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2025年 12月 30日 |
設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)
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LMG3650EVM-113 — LMG3650R025 子卡
LMG3650R025 評(píng)估模塊 (EVM) 將兩個(gè) LMG3650R025 GaN FET 為半橋拓?fù)?,具有過(guò)熱保護(hù)、逐周期過(guò)流保護(hù)、鎖存短路去飽和保護(hù)功能以及用于測(cè)試隔離式輔助電源或自舉電源所需的所有輔助外設(shè)電路。該 EVM 旨在與大型系統(tǒng)配合使用。
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| 封裝 | 引腳 | CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| TO-OTHER (KLA) | 9 | Ultra Librarian |
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