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LM74700D-Q1

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3.2V 至 70V、80μA 汽車級反向電池保護(hù)理想二極管控制器

產(chǎn)品詳情

Vin (max) (V) 70 Vin (min) (V) 3.2 FET External single FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Automotive load dump compatibility, Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.08 Iq (max) (mA) 0.13 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (μA) 11000 IGate sink (typ) (mA) 2370 IGate pulsed (typ) (A) 2.37 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -11 Design support EVM, Simulation Model Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.001 Product type Ideal diode controller
Vin (max) (V) 70 Vin (min) (V) 3.2 FET External single FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Automotive load dump compatibility, Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.08 Iq (max) (mA) 0.13 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (μA) 11000 IGate sink (typ) (mA) 2370 IGate pulsed (typ) (A) 2.37 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -11 Design support EVM, Simulation Model Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.001 Product type Ideal diode controller
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性
    • 器件溫度等級 1： –40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 3.2V 至 65V 輸入范圍（3.9V 啟動）
  • -65V 反向電壓額定值
  • 適用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵
  • 20mV 陽極至陰極正向壓降調(diào)節(jié)
  • 使能引腳特性
  • 1μA 關(guān)斷電流（EN = 低電平）
  • 80μA 工作靜態(tài)電流（EN = 高電平）
  • 2.3A 峰值柵極關(guān)斷電流
  • < 0.75μs 響應(yīng)反向電流阻斷
  • 采用合適的 TVS 二極管，符合汽車 ISO7637 瞬態(tài)要求
  • 采用 8 引腳 SOIC 封裝
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性
    • 器件溫度等級 1： –40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 3.2V 至 65V 輸入范圍（3.9V 啟動）
  • -65V 反向電壓額定值
  • 適用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵
  • 20mV 陽極至陰極正向壓降調(diào)節(jié)
  • 使能引腳特性
  • 1μA 關(guān)斷電流（EN = 低電平）
  • 80μA 工作靜態(tài)電流（EN = 高電平）
  • 2.3A 峰值柵極關(guān)斷電流
  • < 0.75μs 響應(yīng)反向電流阻斷
  • 采用合適的 TVS 二極管，符合汽車 ISO7637 瞬態(tài)要求
  • 采用 8 引腳 SOIC 封裝

LM74700D-Q1 是一款符合汽車 AEC Q100 標(biāo)準(zhǔn)的理想二極管控制器，可與外部 N 溝道 MOSFET 配合工作，作為理想二極管整流器利用 20mV 正向壓降實(shí)現(xiàn)低損耗反極性保護(hù)。3.2V 至 65V 的寬電源輸入范圍可實(shí)現(xiàn)對眾多常用直流總線電壓（例如 12V、24V 和 48V 汽車電池系統(tǒng)）的控制。3.2V 輸入電壓支持可滿足汽車系統(tǒng)中嚴(yán)苛的冷啟動要求。該器件可耐受低至 –65V 的負(fù)電源電壓，并提供負(fù)載保護(hù)。

該器件通過控制 MOSFET 的柵極將正向壓降調(diào)節(jié)至 20mV。該調(diào)節(jié)方案可在反向電流事件中支持 MOSFET 平穩(wěn)關(guān)斷，并確保零直流反向電流。該器件能夠快速 (< 0.75µs) 響應(yīng)反向電流阻斷，專為在 ISO7637 脈沖測試以及電源故障和輸入微短路條件下要求保持輸出電壓的系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。

LM74700D-Q1 控制器可提供適用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵柵極驅(qū)動器。LM74700D-Q1 的高電壓額定值有助于簡化滿足 ISO7637 汽車保護(hù)測試標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。當(dāng)使能引腳處于低電平時，控制器關(guān)閉，消耗大約 1µA 的電流。

LM74700D-Q1 是一款符合汽車 AEC Q100 標(biāo)準(zhǔn)的理想二極管控制器，可與外部 N 溝道 MOSFET 配合工作，作為理想二極管整流器利用 20mV 正向壓降實(shí)現(xiàn)低損耗反極性保護(hù)。3.2V 至 65V 的寬電源輸入范圍可實(shí)現(xiàn)對眾多常用直流總線電壓（例如 12V、24V 和 48V 汽車電池系統(tǒng)）的控制。3.2V 輸入電壓支持可滿足汽車系統(tǒng)中嚴(yán)苛的冷啟動要求。該器件可耐受低至 –65V 的負(fù)電源電壓，并提供負(fù)載保護(hù)。

該器件通過控制 MOSFET 的柵極將正向壓降調(diào)節(jié)至 20mV。該調(diào)節(jié)方案可在反向電流事件中支持 MOSFET 平穩(wěn)關(guān)斷，并確保零直流反向電流。該器件能夠快速 (< 0.75µs) 響應(yīng)反向電流阻斷，專為在 ISO7637 脈沖測試以及電源故障和輸入微短路條件下要求保持輸出電壓的系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。

LM74700D-Q1 控制器可提供適用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵柵極驅(qū)動器。LM74700D-Q1 的高電壓額定值有助于簡化滿足 ISO7637 汽車保護(hù)測試標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。當(dāng)使能引腳處于低電平時，控制器關(guān)閉，消耗大約 1µA 的電流。
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* 數(shù)據(jù)表 LM74700D-Q1 汽車類低 IQ電池反向保護(hù)理想二極管控制器 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2023年 9月 21日
模擬設(shè)計(jì)期刊 串連理想二極體：解決 48V EV 電力挑戰(zhàn) PDF | HTML 2025年 12月 30日
模擬設(shè)計(jì)期刊 級聯(lián)理想二極管：解決 48V EV 的電源難 題 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 12月 30日
模擬設(shè)計(jì)期刊 ????? ??? ???? ????: 48V EV ?? ?? ?? PDF | HTML 2025年 12月 30日

設(shè)計(jì)和開發(fā)

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LM74700DDFEVM 可幫助設(shè)計(jì)人員評估 LM74700-Q1 的運(yùn)行情況和性能，LM74700-Q1 是 3.2V 至 65V、80μA IQ 汽車類二極管控制器（采用 DDF 封裝）。此評估模塊演示了 N 溝道功率 MOSFET 如何仿真具有低 IQ 和低泄漏電流的超低正向電壓二極管。

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LM74700EVM — LM74700 評估模塊

LM74700EVM 可幫助設(shè)計(jì)人員評估 LM74700-Q1 智能二極管控制器的運(yùn)行情況和性能。此評估模塊演示了 N 溝道功率 MOSFET 如何仿真具有低 IQ 和低泄漏電流的超低正向電壓二極管。
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PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計(jì)和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費(fèi)使用，包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫，您可對復(fù)雜的混合信號設(shè)計(jì)進(jìn)行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計(jì)和原型解決方案，然后再進(jìn)行布局和制造，可縮短產(chǎn)品上市時間并降低開發(fā)成本。?

在?PSpice for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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