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LM74700-EP

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增強(qiáng)型低 IQ 理想二極管控制器

產(chǎn)品詳情

Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3.2 FET External single FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating HiRel Enhanced Product Features Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 250 Iq (typ) (mA) 0.08 Iq (max) (mA) 0.13 IGate source (typ) (μA) 11000 IGate sink (typ) (mA) 2370 IGate pulsed (typ) (A) 2.3 Operating temperature range (°C) -50 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -11 Design support EVM Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.001 Product type Ideal diode controller
Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3.2 FET External single FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating HiRel Enhanced Product Features Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 250 Iq (typ) (mA) 0.08 Iq (max) (mA) 0.13 IGate source (typ) (μA) 11000 IGate sink (typ) (mA) 2370 IGate pulsed (typ) (A) 2.3 Operating temperature range (°C) -50 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -11 Design support EVM Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.001 Product type Ideal diode controller
SOT-23-THN (DDF) 8 8.12 mm2 2.9 x 2.8
  • 3.2V 至 65V 輸入范圍(3.9V 啟動(dòng))
  • -65V 反向電壓額定值
  • 適用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵
  • 20mV 陽(yáng)極至陰極正向壓降調(diào)節(jié)
  • 使能引腳特性
  • 1μA 關(guān)斷電流(EN = 低電平)
  • 80μA 工作靜態(tài)電流(EN = 高電平)
  • 2.3A 峰值柵極關(guān)斷電流
  • 快速響應(yīng)反向電流阻斷: 小于 0.75μs
  • 采用合適的 TVS 二極管,符合汽車 ISO7637 瞬態(tài)要求
  • 采用 8 引腳 SOT-23 封裝 2.90mm × 1.60mm
  • 軍用級(jí)溫度范圍(–55°C 至 +125°C)
  • 制造、組裝和測(cè)試一體化基地
  • 延長(zhǎng)了產(chǎn)品生命周期
  • 延長(zhǎng)了產(chǎn)品變更通知
  • 產(chǎn)品可追溯性
  • 3.2V 至 65V 輸入范圍(3.9V 啟動(dòng))
  • -65V 反向電壓額定值
  • 適用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵
  • 20mV 陽(yáng)極至陰極正向壓降調(diào)節(jié)
  • 使能引腳特性
  • 1μA 關(guān)斷電流(EN = 低電平)
  • 80μA 工作靜態(tài)電流(EN = 高電平)
  • 2.3A 峰值柵極關(guān)斷電流
  • 快速響應(yīng)反向電流阻斷: 小于 0.75μs
  • 采用合適的 TVS 二極管,符合汽車 ISO7637 瞬態(tài)要求
  • 采用 8 引腳 SOT-23 封裝 2.90mm × 1.60mm
  • 軍用級(jí)溫度范圍(–55°C 至 +125°C)
  • 制造、組裝和測(cè)試一體化基地
  • 延長(zhǎng)了產(chǎn)品生命周期
  • 延長(zhǎng)了產(chǎn)品變更通知
  • 產(chǎn)品可追溯性

LM74700-EP 是一款理想二極管控制器,與外部 N 溝道 MOSFET 配合工作,可作為理想二極管整流器利用 20mV 正向壓降實(shí)現(xiàn)低損耗反向保護(hù)。3.2V 至 65V 的寬電源輸入范圍可實(shí)現(xiàn)對(duì)眾多常用直流總線電壓(例如:12V、24V 和 48V 系統(tǒng))的控制。該器件可耐受低至 –65V 的負(fù)電源電壓,并提供負(fù)載保護(hù)。

該器件通過(guò)控制 MOSFET 的柵極將正向壓降調(diào)節(jié)至 20mV。該電流調(diào)節(jié)方案可在反向電流事件中支持平穩(wěn)關(guān)機(jī),并確保零直流反向電流。該器件能夠快速 (< 0.75µs) 響應(yīng)反向電流阻斷,因此適用于在電源故障和輸入微短路條件下要求保持輸出電壓的系統(tǒng)。

LM74700-EP 控制器可提供適用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵柵極驅(qū)動(dòng)器。LM74700-EP 的高電壓額定值有助于簡(jiǎn)化用于汽車 ISO7637 保護(hù)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。當(dāng)使能引腳處于低電平時(shí),控制器關(guān)閉,消耗大約 1µA 的電流。LM74700-EP 的完全額定工作溫度范圍為 TA = –55°C 至 +125°C。

LM74700-EP 是一款理想二極管控制器,與外部 N 溝道 MOSFET 配合工作,可作為理想二極管整流器利用 20mV 正向壓降實(shí)現(xiàn)低損耗反向保護(hù)。3.2V 至 65V 的寬電源輸入范圍可實(shí)現(xiàn)對(duì)眾多常用直流總線電壓(例如:12V、24V 和 48V 系統(tǒng))的控制。該器件可耐受低至 –65V 的負(fù)電源電壓,并提供負(fù)載保護(hù)。

該器件通過(guò)控制 MOSFET 的柵極將正向壓降調(diào)節(jié)至 20mV。該電流調(diào)節(jié)方案可在反向電流事件中支持平穩(wěn)關(guān)機(jī),并確保零直流反向電流。該器件能夠快速 (< 0.75µs) 響應(yīng)反向電流阻斷,因此適用于在電源故障和輸入微短路條件下要求保持輸出電壓的系統(tǒng)。

LM74700-EP 控制器可提供適用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵柵極驅(qū)動(dòng)器。LM74700-EP 的高電壓額定值有助于簡(jiǎn)化用于汽車 ISO7637 保護(hù)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。當(dāng)使能引腳處于低電平時(shí),控制器關(guān)閉,消耗大約 1µA 的電流。LM74700-EP 的完全額定工作溫度范圍為 TA = –55°C 至 +125°C。

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* 數(shù)據(jù)表 LM74700-EP 低 Iq 理想二極管控制器 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 英語(yǔ)版 PDF | HTML 2020年 11月 30日
* 輻射與可靠性報(bào)告 LM74700-EP Reliability Report PDF | HTML 2021年 9月 1日

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評(píng)估板

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LM74700DDFEVM 可幫助設(shè)計(jì)人員評(píng)估 LM74700-Q1 的運(yùn)行情況和性能,LM74700-Q1 是 3.2V 至 65V、80μA IQ 汽車類二極管控制器(采用 DDF 封裝)。此評(píng)估模塊演示了 N 溝道功率 MOSFET 如何仿真具有低 IQ 和低泄漏電流的超低正向電壓二極管。

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仿真模型

LM74700-Q1 PSpice Transient Model

SNOM667.ZIP (64 KB) - PSpice Model
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PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評(píng)估模擬電路功能的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計(jì)和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費(fèi)使用,包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫(kù)之一,涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫(kù),您可對(duì)復(fù)雜的混合信號(hào)設(shè)計(jì)進(jìn)行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計(jì)和原型解決方案,然后再進(jìn)行布局和制造,可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間并降低開(kāi)發(fā)成本。?

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