主頁 電源管理 柵極驅動器 低側驅動器

LM5112

正在供貨

用于雙電源操作、具有 4V UVLO 和輸入接地的 3A/7A 單通道柵極驅動器

可提供此產品的更新版本

open-in-new 比較替代產品
功能與比較器件相同，但引腳排列有所不同
UCC27614 正在供貨 具有 4V UVLO、30V VDD 和低傳播延遲的 10A/10A 單通道柵極驅動器 More recent driver with wide VDD and smaller package options

產品詳情

Number of channels 1 Power switch MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 3.5 Input supply voltage (max) (V) 14 Features Negative Output Voltage Capability Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 12 Propagation delay time (μs) 0.025 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 3 Driver configuration Single
Number of channels 1 Power switch MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 3.5 Input supply voltage (max) (V) 14 Features Negative Output Voltage Capability Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 12 Propagation delay time (μs) 0.025 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 3 Driver configuration Single
HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm2 3 x 4.9 WSON (NGG) 6 9 mm2 3 x 3
  • LM5112-Q1 is Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Grade 1 Qualified
  • Manufactured on an Automotive Grade Flow
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
  • 7-A Sink and 3-A Source Current
  • Fast Propagation Times: 25 ns (Typical)
  • Fast Rise and Fall Times: 14 ns or 12 ns
    Rise or Fall With 2-nF Load
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration With a Single Device
  • Supply Rail Undervoltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for
    Split Supply or Single Supply Operation
  • Power Enhanced 6-Pin WSON Package
    (3 mm × 3 mm) or Thermally Enhanced
    MSOP-PowerPAD Package
  • Output Swings From VCC to VEE Which Are Negative Relative to Input Ground
  • LM5112-Q1 is Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Grade 1 Qualified
  • Manufactured on an Automotive Grade Flow
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
  • 7-A Sink and 3-A Source Current
  • Fast Propagation Times: 25 ns (Typical)
  • Fast Rise and Fall Times: 14 ns or 12 ns
    Rise or Fall With 2-nF Load
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration With a Single Device
  • Supply Rail Undervoltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for
    Split Supply or Single Supply Operation
  • Power Enhanced 6-Pin WSON Package
    (3 mm × 3 mm) or Thermally Enhanced
    MSOP-PowerPAD Package
  • Output Swings From VCC to VEE Which Are Negative Relative to Input Ground

The LM5112 device MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in the tiny 6-pin WSON package (SOT-23 equivalent footprint) or an 8-pin exposed-pad MSOP package with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7 A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Undervoltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turnon voltage. The LM5112 device provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.

The LM5112 device MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in the tiny 6-pin WSON package (SOT-23 equivalent footprint) or an 8-pin exposed-pad MSOP package with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7 A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Undervoltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turnon voltage. The LM5112 device provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.
下載 觀看帶字幕的視頻 視頻

您可能感興趣的相似產品

open-in-new 比較替代產品
功能與比較器件相同，但引腳排列有所不同
UCC27322 正在供貨 具有分離輸出和使能功能的 9A/9A 單通道柵極驅動器 9-A drive current
UCC57108 正在供貨 具有去飽和保護 (DESAT) 和 8V 欠壓鎖定 (UVLO) 的低側 3A/3A 驅動器 Bipolar ground feature in a more recent device

技術文檔

star =有關此產品的 TI 精選熱門文檔
未找到結果。請清除搜索并重試。
查看全部 10
類型 標題 下載最新的英語版本 日期
* 數據表 LM5112, LM5112-Q1 Tiny 7-A MOSFET Gate Driver 數據表 (Rev. C) PDF | HTML 2015年 10月 22日
應用簡報 了解峰值源電流和灌電流 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
應用簡報 適用于柵極驅動器的外部柵極電阻器設計指南 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
應用簡報 How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs 2019年 1月 18日
更多文獻資料 Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 2018年 10月 29日
選擇指南 電源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
選擇指南 電源管理指南 2018 (Rev. R) 2018年 6月 25日
更多文獻資料 MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理 最新英語版本 (Rev.A) 2018年 4月 17日
應用簡報 Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole 2018年 3月 16日
應用手冊 An Alternative Approach to Higher-Power Boost Converters 2009年 11月 30日

設計和開發

如需其他信息或資源，請點擊以下任一標題進入詳情頁面查看（如有）。

評估板

UCC27423-4-5-Q1EVM — UCC2742xQ1 具有使能端的雙路 4A 高速低側 MOSFET 驅動器評估模塊 (EVM)

UCC2742xQ1 EVM 是一款高速雙 MOSFET 評估模塊，提供了用于快速、輕松啟動 UCC2742xQ1 驅動器的測試平臺。評估模塊由 4V 至 15V 外部單電源供電，配有一整套測試點和跳線。所有器件均采用單獨的輸入和輸出線路，且共享一個公共接地。評估模塊具備使能 (ENBL) 功能，旨在更好地控制驅動器應用的運行，器件的驅動器信號可通過同一使能引腳啟用或禁用。
用戶指南: PDF
TI.com 上無現貨
仿真模型

LM5112 PSpice Transient Model

SNVM300.ZIP (73 KB) - PSpice Model
下載
仿真模型

LM5112 TINA-TI Transient Reference Design

SNVM391.TSC (579 KB) - TINA-TI Reference Design
下載
仿真模型

LM5112 TINA-TI Transient Spice Model

SNVM390.ZIP (8 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
仿真模型

LM5112 Unencrypted PSpice Transient Model

SNVMAD6.ZIP (1 KB) - PSpice Model
下載
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業內超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫，您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產品上市時間并降低開發成本。?

在?PSpice for TI 設計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
發送申請
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
HVSSOP (DGN) 8 Ultra Librarian
WSON (NGG) 6 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產品可能包含與 TI 此產品相關的參數、評估模塊或參考設計。

支持和培訓

視頻