LM3102

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同步 1MHz 2.5A 降壓穩壓器

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LMR33630 正在供貨 具有超低 EMI 的 SIMPLE SWITCHER? 3.8V 至 36V、3A 同步降壓轉換器 Smaller footprint, higher efficiency, lower IQ and lower EMI.

產品詳情

Rating Catalog Topology Buck Iout (max) (A) 2.5 Vin (max) (V) 42 Vin (min) (V) 4.5 Vout (max) (V) 7 Vout (min) (V) 0.8 Features Enable, Overcurrent protection, Synchronous rectification, Tracking Control mode COT with emulated ripple Switching frequency (min) (kHz) 200 Switching frequency (max) (kHz) 1000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Iq (typ) (μA) 1000 Duty cycle (max) (%) 94 Type Converter
Rating Catalog Topology Buck Iout (max) (A) 2.5 Vin (max) (V) 42 Vin (min) (V) 4.5 Vout (max) (V) 7 Vout (min) (V) 0.8 Features Enable, Overcurrent protection, Synchronous rectification, Tracking Control mode COT with emulated ripple Switching frequency (min) (kHz) 200 Switching frequency (max) (kHz) 1000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Iq (typ) (μA) 1000 Duty cycle (max) (%) 94 Type Converter
DSBGA (YPA) 28 0.5625 mm2 0.75 x 0.75 HTSSOP (PWP) 20 41.6 mm2 6.5 x 6.4
  • 低組件數量和小型解決方案尺寸
  • 與陶瓷電容和其他低等效串聯電阻 (ESR) 電容一起工作時可保持穩定
  • 無需環路補償
  • 可通過斷續導通模式 (DCM) 操作在輕負載條件下實現高效率
  • 預偏置啟動
  • 超快速瞬態響應
  • 可編程軟啟動
  • 可編程開關頻率高達 1MHz
  • 谷值電流限值
  • 輸出過壓保護
  • 精密內部基準實現可調節輸出電壓低至 0.8V
  • 熱關斷
  • 主要技術規格
    • 輸入電壓范圍為 4.5V 至 42V
    • 2.5A 輸出電流
    • 0.8V,±1.5% 基準
    • 集成雙 N 溝道主 MOSFET 和同步 MOSFET
    • 耐熱增強型帶散熱片薄型小外形尺寸封裝 (HTSSOP)-20 封裝
  • 低組件數量和小型解決方案尺寸
  • 與陶瓷電容和其他低等效串聯電阻 (ESR) 電容一起工作時可保持穩定
  • 無需環路補償
  • 可通過斷續導通模式 (DCM) 操作在輕負載條件下實現高效率
  • 預偏置啟動
  • 超快速瞬態響應
  • 可編程軟啟動
  • 可編程開關頻率高達 1MHz
  • 谷值電流限值
  • 輸出過壓保護
  • 精密內部基準實現可調節輸出電壓低至 0.8V
  • 熱關斷
  • 主要技術規格
    • 輸入電壓范圍為 4.5V 至 42V
    • 2.5A 輸出電流
    • 0.8V,±1.5% 基準
    • 集成雙 N 溝道主 MOSFET 和同步 MOSFET
    • 耐熱增強型帶散熱片薄型小外形尺寸封裝 (HTSSOP)-20 封裝

LM3102 同步整流降壓轉換器 采用 實現低成本高效率的降壓穩壓器所需的全部功能。該器件可為負載提供 2.5A 電流以及低至 0.8V 的輸出電壓。雙 N 溝道同步 MOSFET 開關可減少組件數量,從而降低電路復雜度并最大限度地減小電路板尺寸。

LM3102 不同于大多數其他 COT 穩壓器,因為它不依賴輸出電容器 ESR 來獲得穩定性,專為與陶瓷及其他 ESR 極低的輸出電容器完美配合工作而設計。該器件無需環路補償,可提供快速負載瞬態響應并實現簡單電路。由于輸入電壓和導通時間之間呈反比關系,因此在線路發生變化時,器件的工作頻率幾乎保持恒定。通過外部編程,工作頻率可高達 1MHz。
保護 特性 包括 VCC 欠壓鎖定 (UVLO)、輸出過壓保護、熱關斷和柵極驅動欠壓鎖定。LM3102 采用熱增強型 HTSSOP-20 封裝,而且 LM3102 還可以采用輸出電流降低的 DSBGA 低厚度芯片級封裝。

LM3102 同步整流降壓轉換器 采用 實現低成本高效率的降壓穩壓器所需的全部功能。該器件可為負載提供 2.5A 電流以及低至 0.8V 的輸出電壓。雙 N 溝道同步 MOSFET 開關可減少組件數量,從而降低電路復雜度并最大限度地減小電路板尺寸。

LM3102 不同于大多數其他 COT 穩壓器,因為它不依賴輸出電容器 ESR 來獲得穩定性,專為與陶瓷及其他 ESR 極低的輸出電容器完美配合工作而設計。該器件無需環路補償,可提供快速負載瞬態響應并實現簡單電路。由于輸入電壓和導通時間之間呈反比關系,因此在線路發生變化時,器件的工作頻率幾乎保持恒定。通過外部編程,工作頻率可高達 1MHz。
保護 特性 包括 VCC 欠壓鎖定 (UVLO)、輸出過壓保護、熱關斷和柵極驅動欠壓鎖定。LM3102 采用熱增強型 HTSSOP-20 封裝,而且 LM3102 還可以采用輸出電流降低的 DSBGA 低厚度芯片級封裝。

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應用手冊 Input and Output Capacitor Selection 2005年 9月 19日
更多文獻資料 SEM1600 Topic 4: Constructing Your Power Supply – Layout Considerations 2005年 7月 12日
應用手冊 AN-643 EMI/RFI Board Design (Rev. B) 2004年 5月 3日

設計和開發

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評估板

LM3102EVAL — SIMPLE SWITCHER® 同步 1MHz 2.5A 降壓電壓穩壓器評估模塊

  • Low component count and small solution size
  • Stable with ceramic and other low ESR capacitors
  • No loop compensation required
  • High efficiency at a light load by DCM operation
  • Pre-bias startup
  • Ultra-fast transient response
  • Programmable soft-start
  • Programmable switching frequency up to 1 MHz
  • Valley current (...)
用戶指南: PDF
最新英語版本 (Rev.A): PDF
TI.com 上無現貨
仿真模型

LM3102 PSpice Transient Model

SNVM096.ZIP (225 KB) - PSpice Model
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LM3102 TINA-TI Line Transient Reference Design

SNVM068.TSC (186 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

LM3102 TINA-TI Load Transient Reference Design

SNVM070.TSC (185 KB) - TINA-TI Reference Design
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LM3102 TINA-TI Startup Transient Reference Design

SNVM071.TSC (211 KB) - TINA-TI Reference Design
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LM3102 TINA-TI Steady Transient Reference Design

SNVM069.TSC (209 KB) - TINA-TI Reference Design
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LM3102 TINA-TI Transient Spice Model

SNVM067.ZIP (17 KB) - TINA-TI Spice Model
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LM3102 Unencrypted PSpice Transient Model

SNVM920.ZIP (3 KB) - PSpice Model
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
DSBGA (YPA) 28 Ultra Librarian
HTSSOP (PWP) 20 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息:
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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