產(chǎn)品詳情

Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Number of channels 3 Forward/reverse channels 2 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, General purpose, PWM, UART Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 CMTI (min) (V/μs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (μs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.03 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.67 Creepage (min) (mm) 8, 14.5 Clearance (min) (mm) 8, 14.5
Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Number of channels 3 Forward/reverse channels 2 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, General purpose, PWM, UART Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 CMTI (min) (V/μs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (μs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.03 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.67 Creepage (min) (mm) 8, 14.5 Clearance (min) (mm) 8, 14.5
SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3 SOIC (DWW) 16 177.675 mm2 10.3 x 17.25
  • 信令速率：最高 100Mbps
  • 寬電源電壓范圍：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 寬溫度范圍：-55°C 至 125°C
  • 低功耗，每通道電流典型值為 1.7mA（1Mbps 時(shí)）
  • 低傳播延遲：典型值為 11ns（5V 電源）
  • 出色的 CMTI（最小值）：±100kV/μs
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
  • 系統(tǒng)級(jí) ESD、EFT 和浪涌抗擾性
  • 低輻射
  • 隔離柵壽命：> 40 年
  • SOIC-16 寬體 (DW) 和超寬體 (DWW) 封裝選項(xiàng)
  • 安全相關(guān)認(rèn)證：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增強(qiáng)型隔離
    • 符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)且長達(dá) 1 分鐘的 5.7kVRMS 隔離

    • IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 認(rèn)證
  • 信令速率：最高 100Mbps
  • 寬電源電壓范圍：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 寬溫度范圍：-55°C 至 125°C
  • 低功耗，每通道電流典型值為 1.7mA（1Mbps 時(shí)）
  • 低傳播延遲：典型值為 11ns（5V 電源）
  • 出色的 CMTI（最小值）：±100kV/μs
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
  • 系統(tǒng)級(jí) ESD、EFT 和浪涌抗擾性
  • 低輻射
  • 隔離柵壽命：> 40 年
  • SOIC-16 寬體 (DW) 和超寬體 (DWW) 封裝選項(xiàng)
  • 安全相關(guān)認(rèn)證：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增強(qiáng)型隔離
    • 符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)且長達(dá) 1 分鐘的 5.7kVRMS 隔離

    • IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 認(rèn)證

ISO7831x 器件是一款高性能三通道數(shù)字隔離器，隔離電壓為 8,000VPK。該器件已通過符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 標(biāo)準(zhǔn)的增強(qiáng)型隔離認(rèn)證。在隔離 CMOS 或者 LVCMOS 數(shù)字 I/O 時(shí)，該隔離器可提供高電磁抗擾度和低輻射，且具有低功耗特性。

每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。該器件配有使能引腳，可用于將各自輸出置于高阻態(tài)以適用于多主驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，并降低功耗。ISO7831x 器件具有兩條正向通道和一條反向通道。如果出現(xiàn)輸入功率或信號(hào)丟失，ISO7831 器件默認(rèn)輸出 高電平，，ISO7831F 器件默認(rèn)輸出 低電平。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請參閱 。

與隔離式電源結(jié)合使用時(shí)，該器件有助于防止數(shù)據(jù)總線或者其他電路中的噪聲電流進(jìn)入本地接地端，進(jìn)而干擾或損壞敏感電路。憑借出色的芯片設(shè)計(jì)和布局技術(shù)，ISO7831x 的電磁兼容性得到了顯著增強(qiáng)，可緩解系統(tǒng)級(jí) ESD、EFT 和浪涌問題并符合輻射標(biāo)準(zhǔn)。ISO7831x 可采用 16 引腳 SOIC 寬體 (DW) 和超寬體 (DWW) 封裝。

ISO7831x 器件是一款高性能三通道數(shù)字隔離器，隔離電壓為 8,000VPK。該器件已通過符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 標(biāo)準(zhǔn)的增強(qiáng)型隔離認(rèn)證。在隔離 CMOS 或者 LVCMOS 數(shù)字 I/O 時(shí)，該隔離器可提供高電磁抗擾度和低輻射，且具有低功耗特性。

每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。該器件配有使能引腳，可用于將各自輸出置于高阻態(tài)以適用于多主驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，并降低功耗。ISO7831x 器件具有兩條正向通道和一條反向通道。如果出現(xiàn)輸入功率或信號(hào)丟失，ISO7831 器件默認(rèn)輸出 高電平，，ISO7831F 器件默認(rèn)輸出 低電平。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請參閱 。

與隔離式電源結(jié)合使用時(shí)，該器件有助于防止數(shù)據(jù)總線或者其他電路中的噪聲電流進(jìn)入本地接地端，進(jìn)而干擾或損壞敏感電路。憑借出色的芯片設(shè)計(jì)和布局技術(shù)，ISO7831x 的電磁兼容性得到了顯著增強(qiáng)，可緩解系統(tǒng)級(jí) ESD、EFT 和浪涌問題并符合輻射標(biāo)準(zhǔn)。ISO7831x 可采用 16 引腳 SOIC 寬體 (DW) 和超寬體 (DWW) 封裝。
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* 數(shù)據(jù)表 ISO7831x 高性能、8,000VPK 增強(qiáng)型三通道數(shù)字隔離器 數(shù)據(jù)表 (Rev. C) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 9月 26日
白皮書 通過使用數(shù)字隔離器替代光耦合器改善系統(tǒng)性能 (Rev. D) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2025年 11月 13日
證書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Y) 2025年 9月 22日
證書 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. R) 2025年 9月 8日
證書 CQC Certificate for ISOxxDWx (Rev. K) 2025年 8月 18日
證書 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. L) 2025年 8月 15日
應(yīng)用手冊 數(shù)字隔離器設(shè)計(jì)指南 (Rev. G) PDF | HTML 英語版 (Rev.G) PDF | HTML 2023年 9月 20日
白皮書 符合 IEC60664 標(biāo)準(zhǔn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用電路板絕緣設(shè)計(jì) PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2023年 9月 11日
證書 CSA Certificate for ISO78xxDWx 2023年 3月 13日
白皮書 Why are Digital Isolators Certified to Meet Electrical Equipment Standards? 2021年 11月 16日
用戶指南 通用數(shù)字隔離器評估模塊 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2021年 9月 28日
白皮書 絕緣穿透距離：數(shù)字隔離器如何滿足認(rèn)證要求 英語版 PDF | HTML 2021年 9月 27日
白皮書 GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) 2020年 8月 2日
功能安全信息 Isolation in AC Motor Drives: Understanding the IEC 61800-5-1 Safety Standard (Rev. A) 2019年 9月 19日
模擬設(shè)計(jì)期刊 推動(dòng)高性能數(shù)字隔離技術(shù) (Rev. A) 2018年 10月 2日
模擬設(shè)計(jì)期刊 Pushing the envelope with high-performance digital-isolation technology (Rev. A) 2018年 8月 22日
應(yīng)用簡報(bào) Considerations for Selecting Digital Isolators 2018年 7月 24日
功能安全信息 Isolation in solar power converters: Understanding the IEC62109-1 safety standar (Rev. A) 2018年 5月 18日
模擬設(shè)計(jì)期刊 How to reduce radiated emissions of digital isolators for systems with RF module 2018年 3月 26日
應(yīng)用手冊 Isolation Glossary (Rev. A) 2017年 9月 19日
白皮書 交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的隔離： 認(rèn)識(shí) IEC 61800-5-1 安全標(biāo)準(zhǔn) 最新英語版本 (Rev.A) 2017年 8月 7日
技術(shù)文章 Is integrated GaN changing the conventional wisdom? PDF | HTML 2016年 10月 7日
模擬設(shè)計(jì)期刊 2015 年第 4 季度模擬應(yīng)用期刊 英語版 2015年 11月 16日
EVM 用戶指南 ISO784xx Quad-Channel Digital Isolator EVM User Guide 2014年 10月 17日
白皮書 Understanding electromagnetic compliance tests in digital isolators 2014年 10月 17日
白皮書 High-voltage reinforced isolation: Definitions and test methodologies 2014年 10月 16日
應(yīng)用手冊 所選封裝材料的熱學(xué)和電學(xué)性質(zhì) 2008年 10月 16日

設(shè)計(jì)和開發(fā)

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評估板

DIGI-ISO-EVM — 通用數(shù)字隔離器評估模塊

DIGI-ISO-EVM 是一個(gè)評估模塊 (EVM)，用于評估 TI 采用以下五種不同封裝的任何單通道、雙通道、三通道、四通道或六通道數(shù)字隔離器器件：8 引腳窄體 SOIC (D)、8 引腳寬體 SOIC (DWV)、16 引腳寬體 SOIC (DW)、16 引腳超寬體 SOIC (DWW) 和 16 引腳 QSOP (DBQ) 封裝。此 EVM 具有足夠的 Berg 引腳選項(xiàng)，支持使用超少的外部元件來評估相應(yīng)器件。

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評估板

ISO7842-EVM — 高抗干擾能力，5.7kVRMS 增強(qiáng)型四通道 2/2 數(shù)字隔離器評估模塊

ISO7842 可提供符合 UL 標(biāo)準(zhǔn)的長達(dá) 1 分鐘且高達(dá) 5700 VRMS 的電流隔離，以及符合 VDE 標(biāo)準(zhǔn)的 8000 VPK 的隔離。此器件具有四個(gè)隔離通道，并包含由二氧化硅 (SiO2) 絕緣隔柵隔離的邏輯輸入和輸出緩沖器。與隔離式電源一起使用時(shí)，此器件可防止數(shù)據(jù)總線或者其他電路上的噪聲電流進(jìn)入本地接地端并干擾或損壞敏感電路。

ISO7842-EVM 可幫助設(shè)計(jì)人員評估器件性能，支持快速開發(fā)并分析隔離式系統(tǒng)。該 EVM 支持評估任何位于 16 引腳 SOIC 封裝中的 TI 四通道數(shù)字隔離器。

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子卡

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70m? GaN 半橋子卡

LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG34XX 半橋板配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。 ?通過提供功率級(jí)、偏置電源和邏輯電路，該 EVM 可用于快速測量 GaN 器件的開關(guān)速度。 ?該 EVM 能夠在提供充分熱管理（強(qiáng)制通風(fēng)、低頻運(yùn)行等）的同時(shí)提供高達(dá) 8A 的輸出電流，從而確保不超出最大工作溫度。 ?該 EVM 不適合用于瞬態(tài)測量，因?yàn)樵摪迨情_環(huán)板。
僅需要一個(gè)脈寬調(diào)制輸入，即可在電路板上生成互補(bǔ)的脈寬調(diào)制信號(hào)和相應(yīng)的死區(qū)時(shí)間。 ?提供了探測點(diǎn)，從而可使用具有短接地彈簧的示波器探針測量關(guān)鍵邏輯和功率級(jí)波形。
LMG3410-HB-EVM (...)
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仿真模型

ISO7831 IBIS Model (Rev. B)

SLLM286B.ZIP (104 KB) - IBIS Model
下載
仿真模型

ISO7831F IBIS Model

SLLM288.IBS (243 KB) - IBIS Model
下載
參考設(shè)計(jì)

PMP20873 — 效率高達(dá) 99% 且基于 GaN 的 1kW CCM 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一款簡單高效的電源轉(zhuǎn)換器。? 為了實(shí)現(xiàn) 99% 的效率，需要考慮許多設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)。? PMP20873 參考設(shè)計(jì)采用 TI 的 600V GaN 功率級(jí)，LMG3410 和 TI 的 UCD3138 數(shù)字控制器。? 設(shè)計(jì)概述詳細(xì)介紹了連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱拓?fù)涞墓ぷ髟?，給出了電路的詳細(xì)設(shè)計(jì)考慮考量因素，并提供了磁性元件和固件控制方面的設(shè)計(jì)考慮因素。此轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的工作頻率為 100KHz。在交流線路過零處軟啟動(dòng)可最大限度地減小電流尖峰并降低 THD。? PFC 固件實(shí)時(shí)測量交流電流和 PFC (...)
測試報(bào)告: PDF
原理圖: PDF
參考設(shè)計(jì)

TIDM-1007 — 高效率 GaN CCM 圖騰柱無橋功率因數(shù)校正 (PFC) 參考設(shè)計(jì)

交錯(cuò)式連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數(shù)校正 (PFC) 采用高帶隙 GaN 器件，由于具有電源效率高和尺寸小的特點(diǎn)，因此是極具吸引力的電源拓?fù)洹４嗽O(shè)計(jì)說明了使用 C2000? MCU 和 LMG3410 GaN FET 模塊來控制此功率級(jí)的方法。采用自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間與切相方法提升效率。? 非線性電壓補(bǔ)償器旨在減少瞬態(tài)期間的過沖和下沖。此設(shè)計(jì)選擇基于軟件鎖相環(huán) (SPLL) 的方案來精確地驅(qū)動(dòng)圖騰柱電橋。供該設(shè)計(jì)使用的硬件和軟件可幫助您縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。
設(shè)計(jì)指南: PDF
原理圖: PDF
參考設(shè)計(jì)

TIDM-02008 — 采用 C2000? MCU 的雙向高密度 GaN CCM 圖騰柱 PFC

此參考設(shè)計(jì)為 3kW 雙向交錯(cuò)式連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數(shù)校正 (PFC) 功率級(jí)，采用 C2000? 實(shí)時(shí)控制器和具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 LMG3410R070 氮化鎵 (GaN)。  此電源拓?fù)渲С蛛p向潮流（PFC 和并網(wǎng)逆變器）且使用 LMG341x GaN 器件，可提高效率并減小電源尺寸。該設(shè)計(jì)可利用切相和自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間來提高效率，通過輸入電容補(bǔ)償方案提高輕負(fù)載下的功率因數(shù)，并借助非線性電壓環(huán)降低 PFC 模式下的瞬態(tài)電壓尖峰。此參考設(shè)計(jì)中的硬件和軟件可幫助您縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。

 

設(shè)計(jì)指南: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
SOIC (DWW) 16 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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支持和培訓(xùn)

視頻