產品詳情

Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Functional Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM, UART CMTI (min) (V/μs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (μs) 0.011 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.8 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Functional Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM, UART CMTI (min) (V/μs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (μs) 0.011 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.8 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6 VSON (REU) 8 6 mm2 3 x 2
  • 雙通道 CMOS 輸出功能隔離器
  • 50Mbps 數據速率
  • 穩健可靠的 SiO2 隔離柵（CMTI 典型值為 ±150kV/μs）
  • 功能隔離(8-EEU)：
    • 450VRMS、637VDC 工作電壓
    • 2000VRMS、2828VDC 瞬態電壓 (60s)
  • 功能隔離(8-D)：
    • 450VRMS、637VDC 工作電壓
    • 2000VRMS、2828VDC 瞬態電壓 (60s)
  • 采用爬電距離大于 2.2mm 的緊湊型 8-REU 封裝
  • 寬電源電壓范圍：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 電平轉換
  • 默認輸出高電平 (ISO652x) 和低電平 (ISO652xF) 選項
  • 寬溫度范圍：-40°C 至 125°C
  • 3.3V、1Mbps 時每通道電流典型值為 1.8mA
  • 低傳播延遲：3.3V 時為 11ns（典型值）
  • 優異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統級 ESD、EFT 和浪涌抗擾度
    • 超低輻射
  • 無引線 DFN (8-REU) 封裝和窄體 SOIC (8-D) 封裝選項
  • 雙通道 CMOS 輸出功能隔離器
  • 50Mbps 數據速率
  • 穩健可靠的 SiO2 隔離柵（CMTI 典型值為 ±150kV/μs）
  • 功能隔離(8-EEU)：
    • 450VRMS、637VDC 工作電壓
    • 2000VRMS、2828VDC 瞬態電壓 (60s)
  • 功能隔離(8-D)：
    • 450VRMS、637VDC 工作電壓
    • 2000VRMS、2828VDC 瞬態電壓 (60s)
  • 采用爬電距離大于 2.2mm 的緊湊型 8-REU 封裝
  • 寬電源電壓范圍：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 電平轉換
  • 默認輸出高電平 (ISO652x) 和低電平 (ISO652xF) 選項
  • 寬溫度范圍：-40°C 至 125°C
  • 3.3V、1Mbps 時每通道電流典型值為 1.8mA
  • 低傳播延遲：3.3V 時為 11ns（典型值）
  • 優異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統級 ESD、EFT 和浪涌抗擾度
    • 超低輻射
  • 無引線 DFN (8-REU) 封裝和窄體 SOIC (8-D) 封裝選項

ISO652x 器件是高性能雙通道功能隔離器，適用于需要與非安全應用隔離的成本敏感、空間受限型應用。該隔離柵支持 450VRMS/637VDC 的工作電壓，以及 2000VRMS/2828VDC 的瞬態過壓。

在隔離 CMOS 或 LVCMOS 數字 I/O 的同時， 器件可提供高電磁抗擾度、低發射和低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。 ISO6520 具有 2 個同向隔離通道。 ISO6521 具有 2 個隔離通道，每個方向各一個通道。如果輸入功率或信號出現損失，不帶后綴 F 的器件默認輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認輸出低電平。更多詳細信息，請參見器件功能模式部分。

這些器件有助于防止 UART、SPI、RS-485、RS-232 和 CAN 等數據總線上的噪聲電流損壞敏感電路。得益于芯片設計和布局布線技術， 器件的電磁兼容性得到了顯著增強，可緩解系統級 ESD 問題并符合輻射標準。

ISO652x 器件是高性能雙通道功能隔離器，適用于需要與非安全應用隔離的成本敏感、空間受限型應用。該隔離柵支持 450VRMS/637VDC 的工作電壓，以及 2000VRMS/2828VDC 的瞬態過壓。

在隔離 CMOS 或 LVCMOS 數字 I/O 的同時， 器件可提供高電磁抗擾度、低發射和低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。 ISO6520 具有 2 個同向隔離通道。 ISO6521 具有 2 個隔離通道，每個方向各一個通道。如果輸入功率或信號出現損失，不帶后綴 F 的器件默認輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認輸出低電平。更多詳細信息，請參見器件功能模式部分。

這些器件有助于防止 UART、SPI、RS-485、RS-232 和 CAN 等數據總線上的噪聲電流損壞敏感電路。得益于芯片設計和布局布線技術， 器件的電磁兼容性得到了顯著增強，可緩解系統級 ESD 問題并符合輻射標準。
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技術文檔

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類型 標題 下載最新的英語版本 日期
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應用手冊 所選封裝材料的熱學和電學性質 2008年 10月 16日

設計和開發

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評估板

ISO6521REUEVM — ISO6521 適用于數字信號的雙通道功能隔離器評估模塊

ISO6521REUEVM 是一款用于評估采用 8 引腳 DFN 封裝的雙通道 ISO6521 功能隔離器的評估模塊 (EVM)。此 EVM 具有其他封裝，可讓用戶靈活地添加元件來測試各種常見應用。此 EVM 還具有多個測試點，支持使用較少的外部元件來評估相應器件。

用戶指南: PDF | HTML
英語版: PDF | HTML
TI.com 上無現貨
仿真模型

ISO6521 IBIS Model

SLLM505.ZIP (81 KB) - IBIS Model
下載
參考設計

PMP23547 — 基于 GaN 的 8kW 三相圖騰柱功率因數校正和三相 LLC 參考設計

該參考設計為高密度、高效率的 8kW 電源。第一級是三角導通模式 (TCM) 功率因數校正 (PFC) 轉換器，后跟一個與 Δ-Δ 連接的三相電感器-電感器-電容器 (LLC) 轉換器。這兩個功率級均采用 TI 高性能氮化鎵 (GaN) 電源開關實現。該 PFC 在基于零電流檢測 (ZCD) 的控制機制中采用三相圖騰柱 PFC。該控制方法可以變頻運行，并在整體運行條件下保持零電壓開關 (ZVS)。該控制通過 TMS320F280039C 高性能微控制器和集成了 ZCD 感測功能的 LMG3527R030 GaN 場效應晶體管 (FET) 來實現。轉換器的工作頻率范圍約介于 70kHz 和 (...)
測試報告: PDF
參考設計

PMP23421 — 多相四開關降壓/升壓直流/直流轉換器參考設計

此參考設計是一款基于氮化鎵 (GaN) 的數字控制四開關降壓/升壓直流/直流轉換器，用于電池備份 (BBU) 應用。此設計共有七個相位。其中，六個相位并聯，用于實現電池放電操作，可提供高達 8.1kW 的放電功率；第七相位階段用于電池充電操作。該轉換器可根據 VIN 和 VOUT 電壓在降壓、降壓/升壓或升壓模式下工作，并在每種模式之間平穩轉換。
測試報告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
VSON (REU) 8 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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支持和培訓

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