CSD95379Q3M
- 12A 電流下的系統效率達 92.5%
- 12A 電流時 1.8W 的超低功率損耗
- 最大額定持續電流為 20A，峰值電流為 45A
- 高頻運行（高達 2MHz）
- 高密度 – 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸無引線封裝 (SON) 尺寸
- 超低電感封裝
- 系統已優化的印刷電路板 (PCB) 封裝
- 低靜態 (LQ) 和超低靜態 (ULQ) 電流模式
- 與 3.3V 和 5V 脈寬調制 (PWM) 信號兼容
- 支持強制連續傳導模式 (FCCM) 的二極管仿真模式
- 三態 PWM 輸入
- 集成型自舉二極管
- 擊穿保護
- 符合 RoHS 標準 - 無鉛引腳鍍層
- 無鹵素
應用范圍
- NVDC 筆記本電腦/超極本 PC
- 平板電腦
- 網絡互聯、電信和計算系統中的負載點同步降壓
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CSD95379Q3M NexFET 功率級的設計經過高度優化，適用于高功率、高密度同步降壓轉換器。 這個產品集成了驅動器集成電路 (IC) 和 NexFET 技術來完善功率級開關功能。 此驅動器 IC 具有一個內置可選二極管仿真功能，此功能可啟用斷續傳導模式 (DCM) 運行來提升輕負載效率。 此外，驅動器 IC 支持 ULQ 模式，此模式支持針對 Windows 8 的聯網待機功能。借助于三態 PWM 輸入，靜態電流可減少至 130μA，并支持立即響應。 當 SKIP# 保持在三態時，電流可減少至 8µA（恢復切換通常需要 20µs）。 這個組合在小型 3.3mm x 3.3mm 外形尺寸封裝中提供高電流、高效和高速開關功能。 此外，PCB 封裝已經過優化，可幫助減少設計時間并簡化總體系統設計的完成。
技術文檔
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查看全部 2 | 類型 | 標題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數據表 | CSD95379Q3M 同步降壓 NexFET 功率級 數據表 (Rev. C) | PDF | HTML | 最新英語版本 (Rev.D) | PDF | HTML | 2015年 7月 21日 |
| 技術文章 | How to create a power supply for Intel’s Braswell processor | PDF | HTML | 2015年 8月 10日 |
設計和開發
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參考設計
PMP22510 — 開關型集成電容器降壓 (SCIB) 轉換器參考設計
該開關型集成電容器降壓 (SCIB) 轉換器經高度優化，適用于高功率、高密度單輸出功率轉換器。它可在 40V 至 60V 的寬輸入電壓軌范圍內工作，每相可生成 8.0V、5.0V、3.3V 或 1.8V 電壓軌及最高 40A 的負載電流。該參考設計在 23mm x 23mm 的 PCB 上集成了 CSD95490Q5MC 和 CSD95379Q3M NexFET MOSFET 功率級、UCC27212 驅動器 IC、電容器和電感器，并可與多相降壓控制器 TPS53667 兼容，以實現功率級切換功能。
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VSON-CLIP (DNS) | 10 | Ultra Librarian |
訂購和質量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續可靠性監測
包含信息：
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
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