CSD95372BQ5M
- 60A 持續運行電流能力
- 電流 30A 時，系統效率達到 93.4%
- 電流 30A 時，2.8W 低功率損耗
- 高頻運行（高達 1.25MHz）
- 支持強制連續傳導模式 (FCCM) 的二極管仿真模式
- 溫度補償雙向電流感測
- 模擬溫度輸出（0°C 時 600mV）
- 故障監控
- 高端短路、過流和過熱保護
- 輸入電壓高達 14.5V
- 與 3.3 和 5V 脈寬調制 (PWM) 信號兼容
- 三態 PWM 輸入
- 集成型自舉二極管
- 針對擊穿保護的經優化死區時間
- 高密度小外形尺寸無引線 (SON) 5mm x 6mm 封裝
- 超低電感封裝
- 系統已優化的印刷電路板 (PCB) 封裝
- 雙冷卻封裝
- 符合 RoHS 綠色環保標準-無鉛端子鍍層
- 無鹵素
應用范圍
- 多相位同步降壓轉換器
- 高頻應用
- 高電流、低占空比應用
- 負載點 (POL) 直流 - 直流轉換器
- 內存和圖形卡
- 臺式機和服務器 VR11.x / VR12.x V 內核和存儲器同步轉換器
CSD95372BQ5M NexFET 功率級的設計針對高功率、高密度同步降壓轉換器中的使用進行了高度優化。 這個產品集成了驅動器集成電路 (IC) 和功率金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 來完善功率級開關功能。 這個組合在小型 5mm x 6mm 外形尺寸封裝中提供高電流、高效和高速開關功能。 它還集成了準確電流感測和溫度感測功能，以簡化系統設計并提高準確度。 此外，已經 PCB 封裝進行了優化以幫助減少設計時間并簡化總體系統設計的完成。
技術文檔
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查看全部 1 | 類型 | 標題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數據表 | CSD95372BQ5M 同步降壓NexFET? 智能功率級 數據表 | 最新英語版本 (Rev.B) | PDF | HTML | 2014年 3月 29日 |
設計和開發
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參考設計
TIDA-00324 — POL 多相（三相）、120A 電源參考設計
TIDA-00324 是一款電源參考設計，突出了多相控制器 TPS53631 與智能功率級 CSD95372BQ5M 在 12V 輸入電壓、1.2V 輸出電壓、120A 輸出電流應用中的功能。 此參考設計可助力用戶為 CPU 核心電壓或 DDR4 開發電源解決方案，加速產品開發和上市進程。
參考設計
PMP11184 — 適用于 ASIC 處理器的高效、高功率密度 1V/120A/30A/30A (4+1+1) 參考設計
PMP11184 是一種用于高電流 ASIC 內核電壓軌調節的芯片組解決方案。它對 120A 高電流電壓軌使用 TPS53647 4 相控制器，該控制器采用 DCAP+ 控制來實現快速瞬態響應，并通過 TI 專有的 AutoBalance 實現嚴格的穩態和動態相間電流平衡。它還對 30A 雙軌使用 TPS40428 雙路控制器。這兩種控制器都可以驅動 TI NexFET 智能功率級以獲得高功率密度和效率。PMBus 功能和板載 NVM 有助于進行輕松設計、配置和定制，并可遙測輸出電壓、電流、溫度和功率。
參考設計
PMP11312 — 適用于 ASIC 處理器的高效、高功率密度、4 相 1V/120A 參考設計
PMP11312 參考設計是一款用于高電流 ASIC 內核電壓軌調節的四相 PMBus 轉換器。它對 120A 高電流電壓軌使用 TPS53647 4 相控制器，該控制器采用 DCAP+ 控制來實現快速瞬態響應，并通過 TI 專有的 AutoBalance 實現嚴格的穩態和動態相間電流平衡。TPS53647 驅動 TI NexFET 智能功率級以獲得高功率密度和效率。經過優化的布局以及經過改進的板堆棧（8 層，2 盎司覆銅）實現了更高的效率和功率密度。PMBus 功能和板載 NVM 實現輕松設計、配置和定制，并可遙測輸出電壓、電流、溫度和功率。
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| LSON-CLIP (DQP) | 12 | Ultra Librarian |
訂購和質量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續可靠性監測
包含信息：
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
推薦產品可能包含與 TI 此產品相關的參數、評估模塊或參考設計。