ZHCS259B July 2011 – August 2015 TPS65142
PRODUCTION DATA.
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 Pin Configuration and Functions
- 6 Specifications
-
7 Detailed Description
- 7.1 Overview
- 7.2 Functional Block Diagram
- 7.3
Feature Description
- 7.3.1 AVDD Boost Regulator
- 7.3.2 Regulated Positive Charge Pump
- 7.3.3 Negative Charge Pump
- 7.3.4 Gate Voltage Shaping
- 7.3.5 VCOM Buffer
- 7.3.6 Reset
- 7.3.7 Under-voltage Lockout (UVLO)
- 7.3.8 Thermal Shutdown
- 7.3.9 WLED Boost Regulator
- 7.3.10 Current Sinks
- 7.3.11 Unused IFB Pins
- 7.3.12 PWM Dimming
- 7.3.13 Enabling the WLED Driver
- 7.3.14 Soft-Start of WLED Boost Regulator
- 7.3.15 Protection of WLED Driver
- 7.3.16 Power Up/Down Sequence
- 8 Application and Implementation
- 9 器件和文檔支持
- 10機械、封裝和可訂購信息
1 特性
- 集成偏置和背光電源
- 輸入偏置電壓范圍：2.3V 至 6V
- 高達 16.5V 的升壓轉換器，開關電流為 1.8A
- 1.2MHz/650kHz 可選開關頻率
- 內部補償
- 上電時內部軟啟動
- 復位功能（XAO 信號）
- 經過穩壓的 VGH
- 經過穩壓的 VGL
- 柵極電壓整形
- LCD 放電功能
- 150mA 單位增益 VCOM 緩沖器
- 4.5V 至 24V 白色發光二極管 (WLED) 背光輸入范圍
- 集成 1.5A/40V 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)
- 升壓輸出跟蹤 WLED 電壓
- 內部補償
- 外部電流設置輸入
- 6 條 25mA 灌電流通道
- 優于 3% 的電流匹配度
- 高達 1000:1 的脈寬調制 (PWM) 調光范圍
- 過壓保護
- 熱關斷
- 欠壓鎖定
- 32 引腳 6mm x 3mm 四方扁平無引線 (QFN) 封裝
2 應用
- 筆記本電腦 TFT-LCD 顯示器
- 平板電腦 TFT-LCD 顯示器
3 說明
TPS65142 提供了一套針對筆記本電腦 TFT-LCD 顯示器內的偏置電源和 WLED 背光的緊湊型解決方案。該器件 配有 升壓轉換器、正電荷泵穩壓器和負電荷泵穩壓器，用于為源級驅動器和柵極驅動器供電。150mA 單位增益高速緩沖器用于驅動 VCOM 電源層。柵極電壓整形和 LCD 放電功能用于改善圖像質量。復位功能可在上電時對 TCON 進行正確復位。TPS65142 還提供了一套完整的解決方案來驅動多達 6 個 PWM 調光比率為 1000:1 的 WLED 鏈。
全部 功能 均集成在緊湊型 6 x 3mm2 薄型 QFN 封裝內。
器件信息(1)
| 器件型號 | 封裝 | 封裝尺寸（標稱值） |
|---|---|---|
| TPS65142 | WQFN (32) | 6.00mm x 3.00mm |
- 要了解所有可用封裝，請見數據表末尾的可訂購產品附錄。
簡化框圖
4 修訂歷史記錄
Changes from A Revision (November 2012) to B Revision
- 已添加 ESD 額定值表，特性 描述，應用和實施，電源相關建議，器件和文檔支持以及機械、封裝和可訂購信息Go
- Deleted the Ordering Information table Go
- Added Timing Requirements table. Go
- Added sentence to the Power Up Sequence section: "To ensure proper start-up..."Go
- Changed Figure 32 Go
Changes from * Revision (July 2011) to A Revision
- Deleted COMP pin from ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSGo
- Changed I(IFB_MAX) TEST CONDITION IFB from 450 mV to 500 mVGo
- Changed I(IFB_MAX) min from 25 mA to 28 mAGo
- Changed Dmax min from 85% to 89%Go
- Changed VREF from 3.15 V to 3.12 V in Negative Charge Pump sectionGo
- Changed BL_PWR from 4.5V to 25V to 4.5V to 24V in Figure 33Go