主信號接頭：

• 3V3：來自 LDO 的 3.3V。
• GND：GND 測試點。
• IN1：通道 1，輸入。
• IN2：通道 2，輸入。
• IN3：通道 3，輸入。
• IN4：通道 4，輸入。

截止持續時間 (COD) 配置限制了相應通道上電流限制條件的持續時間。可以通過在 COD 引腳上設置適當的下拉電阻器來選擇 tCOD。請勿使該引腳保持未連接狀態。更改設備斷電時的設置。

• 禁用：COD 由 10kΩ 下拉電阻器禁用。輸出級和 IC 僅受熱關斷的保護。
• 0.5ms：COD 引腳通過 60kΩ 下拉至 GND。該器件在電流限制條件下持續 0.5ms。它將僅在典型值為 16ms 的間隔后重試。
• 1ms：COD 引腳通過 120k? 下拉至 GND。該器件在電流限制條件下持續 1ms。它將僅在典型值為 32ms 的間隔后重試。
• 1.5ms：COD 引腳通過 180k? 下拉至 GND。該器件在電流限制條件下持續 1.5ms。它將僅在典型值為 48ms 的間隔后重試。
• 2ms：COD 引腳通過 240k? 下拉至 GND。該器件在電流限制條件下持續 2ms。它將僅在典型值為 64ms 的間隔后重試。

可以通過連接到 VM 或將外部 TVS 二極管連接到 VM 或 GND 來控制不同的衰減模式，從而控制 VCLAMP 引腳設置。必須一次調整一項設置，確保正確連接相應的電阻器。注意：切勿同時組裝 R50 和 R51，因為這樣做會導致 VM 和 GND 之間發生短路，從而可能損壞器件。此外，確保接頭未保持未連接狀態，并驗證相關電阻器是否已正確組裝。為避免出現任何問題，請僅在器件斷電時進行這些更改。

可用的衰減模式包括：

• SLOW：慢速衰減模式，其中 VCLAMP 連接到 VM（組裝 R52 并短接 J8）

• FAST：快速衰減模式，可通過兩種方式進行配置：

  • TVS/齊納二極管 VCLAMP 至 GND（組裝 R50 并短接 J7）
  • TVS/齊納二極管 VCLAMP 至 VM（組裝 R51 并短接 J7）

• 3A：ILIM 引腳通過 10k? 下拉至 GND。將電流限制為 3A（典型值）。
• 2A：ILIM 引腳通過 30k? 下拉至 GND。將電流限制為 2A（典型值）。
• 1.5A：ILIM 引腳通過 45k? 下拉至 GND。將電流限制為 1.5A（典型值）。
• 1A：ILIM 引腳通過 60kΩ 下拉至 GND。將電流限制為 1A（典型值）。
• 0.75A：ILIM 通過 80kΩ 下拉至 GND。將電流限制為 0.75A（典型值）。
• 0.5A：ILIM 引腳通過 120k? 下拉至 GND。將電流限制為 0.5A（典型值）。
• 0.25A：ILIM 通過 240k? 下拉至 GND。將電流限制為 0.25A（典型值）。

GUI/HW 開關使用戶能夠通過板載電位器或基于網絡的 GUI 控制來控制驅動器。

• GUI/HW：基于硬件或基于 GUI 的控制開關。若要使用基于網絡的 GUI，請確保開關處于 GUI 模式。

• PWM IN1：當開關處于 HW 模式時，控制通道 1 的 PWM 占空比。

• PWM IN2：當開關處于 HW 模式時，控制通道 2 的 PWM 占空比。

• PWM IN3：當開關處于 HW 模式時，控制通道 3 的 PWM 占空比。

• PWM IN4：當開關處于 HW 模式時，控制通道 4 的 PWM 占空比。

注意：在 HW 模式下，PWM 頻率設置為 20kHz。

主信號接頭：

• 3V3：來自 LDO 的 3.3V
• SDI/IN1：SPI 接口 SDI/HW 接口通道 1 輸入。
• SCLK/IN2：SPI 接口 SCLK/HW 接口通道 2 輸入。
• nSCS/IN3：SPI 接口 nSCS/HW 接口通道 3 輸入。
• SDO/IN4：SPI 接口 SDO/HW 接口通道 3 輸入。
• RSLEW/CNT：轉換率和控制接口 (SPI/HW)
• GND：GND 測試點。

截止持續時間 (COD) 配置限制了相應通道上電流限制條件的持續時間。可以通過在 COD 引腳上設置適當的下拉電阻器來選擇 tCOD。更改設備斷電時的設置。

• 浪涌：將 COD 引腳保持未連接狀態 (Hi-Z) 可將電容負載的電流限制提高至 10ms。
• 禁用：COD 由 10kΩ 下拉電阻器禁用。輸出級和 IC 僅受熱關斷的保護。
• 0.5ms：COD 引腳通過 60kΩ 下拉至 GND。該器件在電流限制條件下持續 0.5ms。它將僅在典型值為 16ms 的間隔后重試。
• 1ms：COD 引腳通過 120k? 下拉至 GND。該器件在電流限制條件下持續 1ms。它將僅在典型值為 32ms 的間隔后重試。
• 1.5ms：COD 引腳通過 180k? 下拉至 GND。該器件在電流限制條件下持續 1.5ms。它將僅在典型值為 48ms 的間隔后重試。
• 2ms：COD 引腳通過 240k? 下拉至 GND。該器件在電流限制條件下持續 2ms。它將僅在典型值為 64ms 的間隔后重試

可以通過連接到 VM 或將外部 TVS 二極管連接到 VM 或 GND 來控制不同的衰減模式，從而控制 VCLAMP 引腳設置。必須一次調整一項設置，確保正確連接相應的電阻器。注意：切勿同時組裝 R50 和 R51，因為這樣做會導致 VM 和 GND 之間發生短路，從而可能損壞器件。此外，確保接頭未保持未連接狀態，并驗證相關電阻器是否已正確組裝。為避免出現任何問題，請僅在器件斷電時進行這些更改。

可用的衰減模式包括：

• SLOW：慢速衰減模式，其中 VCLAMP 連接到 VM（組裝 R52 并短接 J8）
• FAST：快速衰減模式，可通過兩種方式進行配置：
  • TVS/齊納二極管 VCLAMP 至 GND（組裝 R50 并短接 J7）
  • DTVS/齊納二極管 VCLAMP 至 VM（組裝 R51 并短接 J7）

在 ILIM 引腳上使用適當的下拉電阻器配置電流限制。請勿使該引腳保持未連接狀態。更改設備斷電時的設置。

• 3A：ILIM 引腳通過 10k? 下拉至 GND。將電流限制為 3A（典型值）。
• 2A：ILIM 引腳通過 30k? 下拉至 GND。將電流限制為 2A（典型值）。
• 1.5A：ILIM 引腳通過 45k? 下拉至 GND。將電流限制為 1.5A（典型值）。
• 1A：ILIM 引腳通過 60kΩ 下拉至 GND。將電流限制為 1A（典型值）。
• 0.75A：ILIM 通過 80kΩ 下拉至 GND。將電流限制為 0.75A（典型值）。
• 0.5A：ILIM 引腳通過 120k? 下拉至 GND。將電流限制為 0.5A（典型值）。
• 0.25A：ILIM 通過 240k? 下拉至 GND。將電流限制為 0.25A（典型值）

SRC 引腳連接到 10mΩ 檢測電阻器（R62、R67、R70 和 R73），允許測量負載電流。每個通道的電流由 CSA1 拉至 CSA4，然后由 INA185A2IDRL IC 放大。隨后，經放大的電流被發送到 MCU 的 ADC 以供進一步分析。

出于診斷和測試目的，可使用以下測試點：

CSA1：在放大之前對原始 SRC1 輸出進行 SRC1 測試點訪問。CSA1 測試點顯示了通道 1 的放大電流，便于進行調試和分析。

CSA2：在放大之前對原始 SRC2 輸出進行 SRC2 測試點訪問。CSA2 測試點顯示了通道 1 的放大電流，便于進行調試和分析。

CSA3：在放大之前對原始 SRC3 輸出進行 SRC3 測試點訪問。CSA3 測試點顯示了通道 1 的放大電流，便于進行調試和分析。

CSA4：在放大之前對原始 SRC4 輸出進行 SRC4 測試點訪問。CSA4 測試點顯示通道 1 的放大電流，便于調試和分析