以下是優(yōu)化 AEF 電路運(yùn)行的一些注意事項(xiàng)和最佳實(shí)踐：
- 如果啟用 AEF 的 EMI 測量未按預(yù)期執(zhí)行，則應(yīng)在穩(wěn)壓器開關(guān)期間探測 TPSF12C1 INJ 引腳電壓。確認(rèn) INJ 電壓在正電源軌或負(fù)電源軌附近沒有被削波，如節(jié) 2.4的第 4 步所述。
- 如果 INJ 電壓被削波，則應(yīng)增大穩(wěn)壓器側(cè) Y 電容和/或注入電容。然后使用 TPSF12C1 快速入門計(jì)算器或通過仿真重新檢查環(huán)路穩(wěn)定性。
- 金屬機(jī)箱結(jié)構(gòu)是總體濾波器實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵部分。濾波器 PCB 通常使用多個(gè)螺釘附件安裝到機(jī)箱結(jié)構(gòu)上，機(jī)箱用于連接濾波器 PCB 上的各種 GND 節(jié)點(diǎn).這些節(jié)點(diǎn)并未明確地與 PCB 覆銅區(qū)連接，而是依靠機(jī)箱來完成電氣連接。因此，機(jī)箱將成為 CM 噪聲電流的最低阻抗返回路徑。
- 在測試包含機(jī)箱的電源系統(tǒng)時(shí)（如圖 3-2 所示），CM 噪聲可以容性耦合到 EMI 測量設(shè)置的參考接地平面，從而繞過與該接地平面不密切相關(guān)的濾波器電路。在這種情況下，TI 建議將濾波器 EVM 的 GND 平面直接綁定到參考接地平面。這還有助于更大限度地減小與 AEF 電路的 GND 連接中的寄生電感。然后，從功率級發(fā)出的 CM 噪聲電流通過 Y 電容器（有源和無源）的低分流阻抗進(jìn)行再循環(huán)，從而防止噪聲到達(dá) LISN。
- 基于有效 Y 電容的放大結(jié)果，AEF 可減小 CM 扼流電感，同時(shí)保持相同的 LC 轉(zhuǎn)角頻率和 CM 衰減特性。但是，具有更低 CM 電感和更小尺寸的扼流圈通常具有更低的漏電感，這是導(dǎo)致 DM 與 X 電容器一起衰減的原因。
- 如果在使用較小的 CM 扼流圈時(shí)會(huì)顯著降低 DM 電感，則應(yīng)增大 X 電容或添加一個(gè)小型分立式電感器以獲得足夠的 DM 衰減。否則，高 DM 噪聲分量（相對于 CM 分量）可能會(huì)主導(dǎo)總噪聲測量，從而掩蓋 AEF 對 CM 噪聲降低的影響。
- 檢測和注入電容的典型值分別為 680pF 和 4.7nF。根據(jù)目標(biāo)應(yīng)用中的最終實(shí)現(xiàn)，EVM 上的默認(rèn)阻尼和補(bǔ)償元件值可能需要用戶進(jìn)行適當(dāng)修改，以實(shí)現(xiàn)可接受的環(huán)路穩(wěn)定性。鐵氧體扼流圈本質(zhì)上比納米晶更難以穩(wěn)定。