ZHCUB48 june 2023 TPSI2072-Q1
瞬態噪聲可通過電容隔離或磁隔離進行耦合，從而在初級側和次級側之間產生共模電流。這會發射 EMI，還會因較大的返回路徑而加劇。Y 電容可將初級地和次級地連接在一起，從而最大限度減小共模電流返回路徑。Y 電容可有效用作高通濾波器，為次級側高頻信號返回初級側創建低阻抗路徑。通過使用 PCB 的內層在初級地和次級地之間形成一個 Y 電容 (20pF)，TPSI2072-Q1 EVM 可包含一個層間拼接電容器。連接 J11 跳線可啟用層間拼接電容器。有關層間拼接電容器的更多信息，請參閱應用報告，采用 ISOW7841 集成式信號和電源隔離器的低發射設計。