按照以下說明在 TPS48111Q1EVM 上執(zhí)行過流測試：
- 按照預(yù)充電功能測試 中的步驟對輸出電壓進行預(yù)充電。
- 然后，啟用主 MOSFET 的控制輸入 INP (TP6)。
- 通過將 INP_G (TP24) 接地來禁用預(yù)充電 FET。
- 默認情況下，此 EVM 配置為 5A 過流保護。
- 使用變阻器或電子負載加載輸出并逐漸增大負載電流，觀察 TPS48111-Q1 的過載行為。
- 將跳線 J3 置于其他設(shè)置，從而在多個過流限值下進行測試。
圖 5-7 和圖 5-8 展示了過流故障情況下的測試波形。
圖 5-7 TPS48111-Q1 在 5A 過流保護設(shè)置下針對 2A 至 8A 負載階躍的過流響應(yīng)
圖 5-8 TPS48111-Q1 針對過流故障的自動重試響應(yīng)