PoE 前端的布局應(yīng)遵循電源和 EMI 或 ESD 最佳實(shí)踐指導(dǎo)原則。基本的建議包括：
- 建議至少在通過(guò)頂層平面（推薦 2oz 銅板）到底部 VSS 平面（推薦 2oz 銅板）連接外露散熱焊盤(pán)的 (PAD G) 上留 8 個(gè)過(guò)孔，且至少在 (PAD S) 上留 5 個(gè)過(guò)孔，這樣有助于散熱。
- 將初級(jí) MOSFET 放置在電源變壓器附近，并且使電流感測(cè)電阻靠近 MOSFET 的源極，從而最大限度地縮短初級(jí)環(huán)路。對(duì)于次級(jí) MOSFET 也是如此。使 MOSFET 靠近變壓器，并且使相關(guān)元件盡可能靠近，以最大限度地縮短環(huán)路。
- 零件的放置必須以點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的方式由功率流驅(qū)動(dòng)：RJ-45、以太網(wǎng)變壓器、二極管電橋、TVS 和 0.1μF 電容器以及 TPS23731 轉(zhuǎn)換器輸入大容量電容器。
- 所有引線都應(yīng)盡可能短，并采用寬電源跡線以及成對(duì)的信號(hào)與回路。
- 功率流中的部件間不允許存在任何信號(hào)交叉。
- 48V 輸入電壓軌之間的間隔以及輸入端與隔離轉(zhuǎn)換器輸出端之間的間隔必須符合 IEC60950 等安全標(biāo)準(zhǔn)。
- SMT 功耗器件上應(yīng)使用大型銅填充物和跡線，而電源路徑中應(yīng)使用較寬的跡線或覆銅填充物。
- 將 VSS 和 RTN 之間的肖特基二極管盡可能靠近 IC 放置，最好直接放在電路板的另一側(cè)（例如，TPS23731EVM-095 將 IC 置于頂部，因此二極管在底部位于其正下方）。
直流/直流轉(zhuǎn)換器布局應(yīng)參考以下基本規(guī)則：
- 在通過(guò)多層平面連接到 VDD 的電源變壓器附近至少留 4 個(gè)過(guò)孔 (VDD)，這樣有助于電源變壓器散熱。
- 將信號(hào)配對(duì)以減少輻射和噪音，特別是通過(guò)功率半導(dǎo)體和磁性材料傳遞大電流脈沖的路徑
- 盡量縮短大電流功率半導(dǎo)體和磁性元件的跡線長(zhǎng)度
- 謹(jǐn)慎使用開(kāi)關(guān)電流的接地層
- 讓大電流和高電壓開(kāi)關(guān)遠(yuǎn)離低電平感測(cè)電路（包括電源以外的電路）
- 在轉(zhuǎn)換器的高壓部分保持適當(dāng)?shù)拈g距