ZHCAEJ6 September 2024 TAS2120 , TAS2320
表 5-1 總結(jié)了針對器件不同引腳的建議設(shè)計和布局實踐。
| 部分 | 引腳或部分 | 最大寄生引線電感 (pH) | 建議指南 |
|---|---|---|---|
| 1 | VDD | 650 | 使用大于等于 2.2μF 的電容器進行去耦，將該電容器放置在盡可能靠近器件的位置 |
| 2 | PVDD | 600 | 使用 3 x 10μF 或 2 x 22μF 的電容器進行去耦，將該電容器放置在盡可能靠近器件的位置 |
| 需要將小型封裝 0.1μF 電容器 (0201) 放置在最靠近器件的位置，該電容器具有極小的 ESL | |||
| 考慮 PVDD 電壓導(dǎo)致的降額 | |||
| 具有高載流能力的寬引線 | |||
| 3 | GREG | 4000 | 使用 0.1μF 電容器進行去耦（連接至 PVDD 引腳） |
| 通過星型連接直接連接至 PVDD 引腳 | |||
| 4 | SW | 將電感器放置在盡可能靠近器件的位置 | |
| 寬引線可承載高電流并更大限度地降低對效率至關(guān)重要的寄生電阻（降低 I2R 損耗） | |||
| 使用靠近電感器、大于等于 10μF 的電容器進行去耦 | |||
| 更大限度地減小接地寄生電容以降低開關(guān)損耗 | |||
| 在外部 PVDD 模式下使引腳保持未連接狀態(tài) | |||
| 5 | VBAT | 950 | 使用星型連接直接連接至電源 |
| 使用大于等于 1μF 的電容器進行去耦，將該電容器放置在盡可能靠近器件的位置 | |||
| 5 | VBAT_SNS | 使用星型連接直接連接至電源 | |
| VBAT1S 模式下的可選連接，在未使用時接地 | |||
| 6 | OUT_P/OUT_N | 使用大于等于 1μF 的電容器進行去耦，將該電容器放置在盡可能靠近器件的位置 | |
| 能夠承載高電流的寬引線 | |||
| 更大限度地減小接地寄生電容以降低開關(guān)損耗 | |||
| 7 | IOVDD | 如果所需 I/O 電源為 1.8V，則可以在器件引腳附近短接至 VDD。建議即使在短接時也使用 C2 和 C3 電容器，并將電容器放置在靠近 VDD 引腳的位置 | |
| 8 | DREG | 使用大于等于 1μF 的電容器進行去耦，將該電容器放置在盡可能靠近器件的位置 | |
| 9 | 數(shù)字 | 避免在 SW、OUT_P、OUT_N 等高壓開關(guān)節(jié)點附近布線，以避免耦合 | |
| 10 | 接地 | 短接頂層的 BGND 或 PGND 引腳 | |
| 避免在 PGND 或 BGND 和 GND 引腳之間產(chǎn)生對接地平面的共模電感 | |||
| PCB 接地的總寄生電感對器件性能至關(guān)重要。使用多個過孔以更大限度地減小電感 | |||
| 11 | HW 選擇引腳 | 將 HW 設(shè)置電阻盡可能靠近 IC 放置。電阻后的寄生電容無關(guān)緊要。 |