4 總結(jié)

本應用手冊提供了計算降壓轉(zhuǎn)換器理論壓降的數(shù)學方法。我們使用了 TPS629210 和 LMR51610 的仿真模型和實踐測試來驗證該理論。計算和仿真結(jié)果顯示出高度的一致性。實際上，F(xiàn)ET 的溫度偏移會引入一定程度的非線性。加上 FET 中溫度的影響后，計算結(jié)果就非常精確。

因此，基于上述理論分析、仿真和測試結(jié)果，本應用手冊提供了一種計算壓降的簡單方法，并說明了如何選擇合適的器件以便充分利用電池。

• 具有低 R_dson 的器件

從方程式 4 中可以看出，導致壓降的主要因素是 FET 的 R_dson。此外，當器件在壓降區(qū)域內(nèi)運行時，占空比始終會增加到占空比的上限。因此，低側(cè) FET 的 R_dson 可以忽略不計，我們需要選擇高側(cè) FET 的 R_dson 較低的器件，用于盡可能降低壓降。

• 具有 100% 占空比控制模式的器件

為了進一步降低壓降區(qū)域中的壓降，我們可以選擇具有 100% 占空比功能的器件。100% 占空比表示從輸入直接傳導到輸出，因此消除了占空比的影響。