ZHCADR6 November 2021 TLV3601 , TLV3601-Q1 , TLV3603 , TLV3603-Q1
設計過程
設計目標
| 系統電源 | 輸入 類型 |
輸出脈沖 寬度 50% 至 50% 以驅動 LED |
FET 開關類型 |
|---|---|---|---|
| 5V |
LVDS |
3ns ±10% |
低側 |
設計說明
LVDS GaN 驅動器發送器電路對于此應用，在驅動激光二極管時產生盡可能窄的脈沖至關重要。對于此設計，GaN FET 的輸出能產生 3ns 寬脈沖，用于控制低電阻 1? 負載。在長電纜或長布線上使用低壓差分信號 (LVDS) 來降低 EMI 是很常見的做法。GaN FET 驅動器接口電路的輸入也必須接受 LVDS 輸入。為了提供速度并接受 LVDS 輸入信號，可以使用 TLV3601 高速比較器。TLV3601 用于將 LVDS 信號轉換為單端輸出，以驅動 GaN FET 驅動器的輸入。此外，還可使用 EPC2019 GaN FET 和 LMG1020 GaN FET 驅動器。設計目標 表中反映了相關設計要求。
設計說明
- 選擇可由 LVDS 信號差分驅動的高速比較器
- 在仿真中使用低電阻 1? 負載來代替 LED
- TLV3601 和 LMG1020 器件均由 5V 電源 (VSUPPLY) 供電