5 CEDV

CEDV 是一種使用庫(kù)侖計(jì)數(shù)作為電量監(jiān)測(cè)支柱的算法。CEDV 算法以數(shù)學(xué)方式將電芯電壓建模為電池 SOC、溫度和電流的函數(shù)。電池電壓模型用于校準(zhǔn)滿電荷容量 (FCC)，而補(bǔ)償電池電壓用于放電結(jié)束警報(bào)以及當(dāng)電量監(jiān)測(cè)計(jì)報(bào)告 0% SOC 時(shí)的情形。此算法使用因電池而異的特定參數(shù)，這些參數(shù)可通過(guò) GPCCEDV 工具收集。

圖 5-1 是 CEDV 參數(shù)的直觀表示。參數(shù) EMF 和 C0 定義了函數(shù) OCV(SoC, T)。參數(shù) R0、R1 和 T0 定義了 R(SoC, T)。R1 定義了 R(SoC) 依賴關(guān)系的斜率。R0 定義了 R 的幅度。T0 定義了 R(T) 依賴關(guān)系的斜率。

電量監(jiān)測(cè)計(jì)在完全放電之前需要學(xué)習(xí)。因此，電量監(jiān)測(cè)計(jì)設(shè)置了與給定的剩余容量百分比相對(duì)應(yīng)的電壓閾值。這些參數(shù)是 EDV2、EDV1 和 EDV0，通常分別設(shè)置為 7%、3% 和 0%。這些參數(shù)在電池放電末期設(shè)置，因?yàn)檫@時(shí)不同 SOC 點(diǎn)之間的電壓差異更大，這使電壓讀數(shù)誤差可更大限度地減少 SOC 計(jì)算中的誤差。最后，僅在 EDV2 點(diǎn)學(xué)習(xí)溫度和放電速率變化后的新 FCC。因此，在放電結(jié)束之前，SOC 可能會(huì)突然下降，如果溫度低且放電速率高，有時(shí)可高達(dá) 50%。

CEDV 提高了電壓 + IR 校正算法的電量監(jiān)測(cè)精度。CEDV 通過(guò)讀取電壓并在器件復(fù)位時(shí)將其與 10 點(diǎn)電壓表相關(guān)聯(lián)來(lái)估算電池的初始容量，從而改善庫(kù)侖計(jì)數(shù)。一些問(wèn)題包括自放電會(huì)影響準(zhǔn)確度，需要電池完全放電才能了解準(zhǔn)確估算 SoH 和 SOC 所需的 FCC。

CEDV 能夠報(bào)告剩余運(yùn)行時(shí)間。CEDV 還能夠在放電結(jié)束時(shí)報(bào)告 SoH 和剩余容量，而 SOC 能夠在放電結(jié)束時(shí)根據(jù)放電速率和溫度進(jìn)行調(diào)整。但是，與電壓 + IR 校正不同，CEDV 無(wú)法以瓦時(shí)為單位報(bào)告剩余容量。CEDV 的缺點(diǎn)是電池的老化會(huì)導(dǎo)致電池的內(nèi)部阻抗被低估，這會(huì)導(dǎo)致滿電荷容量出現(xiàn) 15% - 25% 的誤差，以及老化電池的 SOC 出現(xiàn)問(wèn)題。