虛擬電阻的值對輸出放電時間和最大放電電流都有影響。

考慮到最壞的情況，當系統禁用時，負載電流為 0A，然后通過下式計算輸出放電時間：

其中

• R_Dummy 是虛擬電阻
• R_FET 是 PG 引腳中開漏 NMOS 的 Rds_on，通常比虛擬電阻器小得多，因此可以忽略不計。
• C_OUT 是輸出電容。
• r 是放電端子電壓 (V_TERMI) 與標稱輸出電壓 (V_OUT) 的比值。

需要注意的一點是，如果工程師使用鋁電解電容器或鉭電容器，則 C_OUT 為標稱電容，但如果工程師使用陶瓷電容器，在直流偏置電壓下評估陶瓷電容器的降額時要小心，直流偏置電壓會顯著降低有效電容。例如，對于 22uF/10V/0603 封裝陶瓷電容器，當直流偏置為 5V 時，有效電容僅為約 5.5uF。因此，使用陶瓷電容器時，建議在估算放電時間時使用標稱電容和有效電容的平均值。

例如，當使用兩個 22uF/10V/0603 封裝陶瓷電容器時，我們得到 C_OUT= 27.5uF，如果系統要求電源電壓需要在 50ms 內放電至 20% 標稱電壓 (r = 0.2)，則

因此最大 Rdummy 電阻為 1.11kΩ。

圖 3-3 比較了計算出的放電時間和測試放電時間（基于 C_OUT = 27.5uF、r = 0.2 條件）。

最大放電電流的計算公式如下。工程師需要確保此最大電流不超過 50mA，以避免損壞內部漏極開路 NMOS。