2 含可選 RCP 電路的反向充電保護

圖 2-1 展示了反向充電保護電路的一種典型實現。放電 FET (DFET) 的柵極由柵極和源極之間的高阻值電阻拉至源極，以確保在柵極驅動開路時將其關斷。在圖 1-1 所示的 BQ27Z746 EVM 原理圖中，該電阻值為 10MΩ。10MΩ 電阻可確保在 FET 驅動器斷開連接時放電 FET 關斷。RCP FET 是一款 N 溝道增強型 MOSFET，添加在放電 FET 的 RGS (10kΩ) 之間并且柵極接地作為 RCP 電路。要使用簡單的接地柵極電路，RCP FET 必須具有低柵極導通閾值。如果需要使用更標準的器件，例如以 2N7002 作為參考原理圖，則需要使用高阻值電阻將柵極偏置至 3.3V。

圖 2-1 反向充電保護電路

當 PACK+ 被拉至低于 VSS 時，RCP FET 的源極被拉至其柵極以下，從而使 FET 導通。一旦 RCP FET 導通，它就會將放電 FET 的柵極拉至其源極，使其保持關斷狀態，從而阻止電流流動。圖 2-2 顯示了帶有可選 RCP 電路時正確發生 RCP 后的波形。由于 PACK+ 上存在負電壓，放電 FET 會檢測到電池電壓和充電器電壓之和。因此，它必須能夠承受電池電壓加上考慮到合適 VDS 電壓的反向充電器電壓。大多數情況下，這將至少是最大電池電壓的兩倍。布置在放電 FET 上的任何元件都需要具有類似的額定值。當電池和反向電壓處于 RCP FET 的絕對最大 VGS 限制范圍內時，該電路便會工作。

圖 2-2 帶有可選 RCP 電路的負 PACK+