ZHCACL3A April 2023 – November 2024 TPS1211-Q1 , TPS1214-Q1 , TPS4811-Q1
2.3.1 在關閉 MOSFET 的情況下實現電池反向保護
圖 2-6 顯示了用于驅動加熱器負載的 TPS12110-Q1 應用電路。可以向 INP 引腳施加 PWM 信號，以控制負載的導通或關斷持續時間。
由于電源路徑中沒有反向阻斷 MOSFET，因此在電池反向情況下，有反向電流從 PGND、負載、MOSFET Q1 體二極管流向電池，如圖 2-6 所示。
在這種情況下，MOSFET Q1 會出現高功率耗散，并會因體二極管上的過熱和電流應力而損壞。添加反向阻斷 MOSFET 可作為一種技術設計，用以避免這種應力并保護 MOSFET Q1。但是，諸如 RDSON、額定電流等阻斷 MOSFET 特性必須與 MOSFET Q1 相同。此設計使功率級的成本增加了一倍，并增加了設計尺寸，這在高電流系統設計中是不可接受的。
圖 2-6 在電池反向情況下，在 MOSFET 關閉的情況下驅動 PTC 加熱器負載的 TPS12110-Q1 應用原理圖