必須快速關(guān)閉放電 MOSFET，尤其是在發(fā)生短路放電 (SCD) 故障時。MOSFET 導(dǎo)通時如果發(fā)生 SCD 故障，放電電流會增加到非常大的值，并觸發(fā) SCD 保護，關(guān)閉放電 MOSFET。放電電流會快速下降，由于短路連接器和 PCB 布線的寄生電感，PACK+ 上會產(chǎn)生顯著的負電壓。PACK+ 上的負電壓可阻止電流流入齊納二極管 D30 的陰極并使 Q49 關(guān)斷，從而減慢放電 MOSFET 的關(guān)斷過程。二極管 D37 是限制最大負電壓所必需的。考慮到放電電流可能很大，D37 正向電壓可能會達到放電 MOSFET 的柵極-源極閾值電壓 (Vgs_th)，因此添加了 Q48、R171、D34、R174、D36 和 R173，以便為放電 MOSFET 的輸入電容 (Ciss) 提供另一條放電路徑，加快關(guān)斷過程。當 Q48 由于 PACK 上的負電壓而導(dǎo)通時，放電 MOSFET 的 Ciss 通過 Q48 和 R171 放電。為了確保電路正常工作，在放電 MOSFET 的柵極-源極電壓達到放電 MOSFET 的 Vgs_th 之前，Q48 必須導(dǎo)通，考慮將 R174、R173 和 D36 作為分壓器。在 PACK 側(cè)進行反向電壓測試時，為了確保放電 MOSFET 處于關(guān)閉狀態(tài)，也需要滿足此條件。當 PACK 具有正常高電壓時，D36 可消除漏電流，當 PACK 側(cè)具有超高的負電壓時，R173 會限制電流，從而保護 D34 和 Q48。

圖 3-2 TIDA-010247 SCD 保護

圖 3-3 在 Q49 處于 SCD 狀態(tài)時關(guān)閉放電 MOSFET

圖 3-4 在 Q48 處于 SCD 狀態(tài)時關(guān)閉放電 MOSFET