如圖 2-1 所示，大多數運算放大器的輸入結構都在每個輸入與每個電源軌之間包含一個保護二極管。這些二極管的作用是，通過鉗制上升電壓并降低輸入級晶體管的電流浪涌，保護放大器免受突發的 ESD 沖擊。如果任一輸入的電壓大于 V+ 加 ESD 保護二極管的正向電壓，則保護二極管會變為正向偏置，電流從輸入端流過 ESD 二極管。與之類似，如果任一輸入的電壓小于 V– 減 ESD 保護二極管的正向電壓，則保護二極管會變為正向偏置，電流會經過 ESD 二極管流向輸入端。請注意，在許多數據表中，ESD 二極管的正向壓降約為 500mV。

在 ESD 事件期間，有多個電流路徑可用，包括通過吸收器件的路徑，路徑的選擇具體取決于引腳上的電壓。圖 2-1 中展示了一個示例，其中 IN+ 引腳相對于 V– 具有大的正電壓。

圖 2-1 具有標準 ESD 保護的運算放大器在 ESD 沖擊期間從 IN+ 到 V– 的電流路徑

輸出保護二極管的行為（同樣如圖 2-1 所示）反映了輸入保護二極管的行為。如果輸出電壓高于 V+ 加 ESD 二極管的正向電壓，則會形成一個電流從輸出端流經 ESD 二極管的電流路徑。同樣，如果輸出電壓低于 V– 減 ESD 二極管的正向電壓，則會形成一個電流從 ESD 二極管流向輸出的電流路徑。

請注意，ESD 保護適用于電路外事件，例如在搬運或組裝過程中可能發生的 ESD 事件，不適用于電路內事件。由于此保護結構專為高能量、短持續 ESD 事件而設計，因此在發生時間較長的電過應力 (EOS) 時，必須保護二極管免受損壞。在 EOS 事件期間，施加的電壓可能低很多。例如，電壓可能在電源電壓之上 500mV 左右，而不是 1kV。但是，這些情況的持續時間也長得多。在數據表的絕對最大額定值 部分，通常會說明保護二極管在 EOS 下能夠承受的電流水平為 ±10mA。盡管如此，還是要盡可能將電流電平保持在 ±1mA 以下。

如果電路設計人員預計輸入可能會超出數據表“絕對最大額定值”表中的最小或最大共模電壓范圍，則通常的做法是在 IN+ 引腳和 IN– 引腳上增加串聯電阻，通過其阻值來限制輸入電流。有關其他 ESD 和 EOS 情況，TI 高精度實驗室的 ESD 和 EOS 培訓視頻中有更加深入的介紹。

表 2-1 展示了 TLV9051/TLV9052/TLV9054 5MHz、15V/μs 高壓擺率、RRIO 運算放大器 數據表中的“絕對最大額定值”表格示例。應將共模電壓限制為不小于 (V–) – 0.5V，且不超過 (V+) + 0.5V。如果超出這些限制，二極管將開始傳導電流。如果電流足夠高，則可能會損壞二極管本身，進而損壞放大器輸入端。