ZHCABU7 November 2021 LM5157 , LM5157-Q1 , LM51571-Q1 , LM5158 , LM5158-Q1 , LM51581 , LM51581-Q1
升壓轉換器的總損耗 (PTOTAL) 可以表示為以下損耗之和:器件中的損耗 (PIC,不包括功率 MOSFET 損耗)、MOSFET 功率損耗 (PQ)、二極管功率損耗 (PD)、電感器功率損耗 (PL) 和檢測電阻中的損耗(PRS,請參閱下面的說明)。(PIC) 和 (PQ) 之和是轉換器器件中的功率損耗,應設計在合理范圍內,防止 IC 溫升過大。

PIC 可分為柵極驅動損耗 (PG) 和靜態電流導致的損耗 (PIQ)。

每種功率損耗的近似計算方法如下:


每種模式下的 IBIAS 值可在 LM5157x 和 LM5158x 數據表中找到。
PQ 可分為開關損耗 (PQ(SW)) 和導通損耗 (PQ(COND))。

每種功率損耗的近似計算方法如下:

tR 和 tF 是集成式功率 MOSFET 的上升和下降時間。ISUPPLY 是升壓轉換器的輸入電源電流。

RDS(ON) 是 LM5157x 和 LM5158x 數據表中給出的 MOSFET 導通電阻。考慮自熱導致的 RDS(ON) 增加。
PD 可以分為二極管導通損耗 (PVF) 和反向恢復損耗 (PRR)。

每種功率損耗的近似計算方法如下:


QRR 是二極管的反向恢復電荷,會在二極管數據表中指定。二極管的反向恢復特性對效率有很大影響,在高負載電壓下尤其如此。
PL 是 DCR 損耗 (PDCR) 和交流磁芯損耗 (PAC) 之和。DCR 是電感器數據表中提到的電感器直流電阻。

每種功率損耗的近似計算方法如下:



?I 是峰峰值電感器電流紋波。K、α 和 β 是磁芯相關因素、可由電感器制造商提供。
由于 LM5157x 和 LM5158x 中采用了電流檢測技術,因此檢測電阻和功率損耗 PRS 可以忽略不計。
電源轉換器的效率可按照如下方式進行估計:
