屏蔽利用的是磁阻的特性，對于磁場，其類似于對電流的電阻。磁場通過磁阻最小的路徑傳輸。與磁阻成相反關系的是磁導率。高磁導率的材料具有較低的磁阻，因此非常適合用于屏蔽目的，其實際上有助于會使磁場偏離霍爾傳感器。根據其滲透性，所選擇的材料必須具有一定的厚度，以確保該材料能夠將磁場完全偏離器件，因為屏蔽材料也能夠飽和。如果屏蔽材料出現飽和，過剩的磁通量就會繼續通過材料并對傳感器產生影響。

為了更加直觀地呈現屏蔽的工作原理，圖 6-1 和圖 6-2 中提供了屏蔽層和集中器示例。這兩張圖片中都有幾個 μT 的均勻磁場沿著 Z 軸導引穿過檢查的物體。

第一張圖片顯示了 XZ 層的交叉部分，其中屏蔽外殼轉移了大部分磁場，而球體內部空間的磁場強度大小要遠遠小于屏蔽層轉移的磁場強度。

第二張圖片在與上圖相同磁場內的器件下插入了一個線圈集中器結構。這里也檢查了 XZ 交叉部分。上方椎體結構將進入底部的大部分磁場引導向椎體尖端，由尖端退出并傳輸到下方椎體的尖端，然后繼續向下移動。請注意，此類結構是第一個圖片中屏蔽層的雙重形式，不建議用作屏蔽幾何形狀。這也意味著，器件上方的任何導線或承載磁通的元件都可能對測量造成影響，包括調試期間，因此應確保這類器件受到控制并遠離傳感器。

請注意，對于圖示，在制造或選擇屏蔽體形狀時，可能無法獲得完美的球形，也無法按模擬中所示完全密封器件。這個圖片用作概念展示，在給定的系統中，某些幾何形狀可能要比其他形狀更加有效。

總的來說，如果選擇屏蔽作為緩解磁場影響的方法，則請確保選擇正確的材料，并且形狀和大小合適，從而保證實現恰當的磁場轉向。