在半橋橋臂上，高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的開(kāi)關(guān)瞬間之間會(huì)存在死區(qū)時(shí)間，以避免發(fā)生電流擊穿。由于存在死區(qū)時(shí)間插入，相節(jié)點(diǎn)上的預(yù)期電壓與施加的電壓會(huì)因相電流方向而異。相節(jié)點(diǎn)電壓失真會(huì)在相電流中引入不必要的失真，進(jìn)而導(dǎo)致可聞噪聲。MCF8316 器件集成了專(zhuān)有死區(qū)時(shí)間補(bǔ)償技術(shù)，利用諧振控制器將相電流中的諧波分量控制為零，從而確保緩解死區(qū)時(shí)間導(dǎo)致的電流失真。Iq 和 Id 控制路徑中都包含諧波控制器。圖 2-4 展示了禁用死區(qū)時(shí)間補(bǔ)償時(shí)的相電流波形與相電流 FFT。圖 2-5 展示了啟用死區(qū)時(shí)間補(bǔ)償時(shí)的相電流波形與相電流 FFT。在以下圖片中，PWM 輸出頻率設(shè)為 60 kHz，死區(qū)時(shí)間設(shè)為 500 ns。電機(jī)頻率為 12 Hz。如圖中電流波形的 FFT 所示（信號(hào)以粉色顯示），在啟用死區(qū)補(bǔ)償后，相電流波形變得更加干凈。