ZHCAAH9A September 2020 – March 2022 BQ769142 , BQ76942 , BQ76952
BQ76952 使用電荷泵提供高于 BAT+ 的電壓,以導(dǎo)通系統(tǒng)中使用的高側(cè) N 溝道 MOSFET。電荷泵的飛跨電容器在內(nèi)部,電荷存儲在器件外部的 CP1 電容器中。CP1 是 CHG 和 DSG 驅(qū)動器的電源。在圖 4-1 至圖 4-4 中,BQ76952 已設(shè)為 SHUTDOWN 模式,由 TS2 信號喚醒。當(dāng)電荷泵達(dá)到特定電壓時(shí),它將關(guān)斷,直到電壓下降后才會再次運(yùn)行。CP1 電壓通常會產(chǎn)生紋波,先是緩慢下降,然后是快速上升。在圖 4-1 中,留意 FET 導(dǎo)通前的緩慢循環(huán)和 FET 導(dǎo)通后的更快紋波,以及 RGS 電阻器的負(fù)載和附加示波器探頭負(fù)載的增加。圖 4-2 展示了低電壓下電荷泵升壓的更多細(xì)節(jié)。正常電壓下,電荷泵電壓的上升時(shí)間較長,如圖 4-3 所示。使用較大的 CP1 電容器也會延長上升時(shí)間,如圖 4-4 所示。 注意,在 FET 導(dǎo)通時(shí),電荷泵仍在轉(zhuǎn)換。對于 BQ769x2 系列器件,不建議使用大于 2.2μF 的 CP1 電容器。
圖 4-1 電荷泵和 FET 導(dǎo)通,低電壓,470nF
圖 4-2 電荷泵啟動,低電壓,470nF
圖 4-3 電荷泵啟動,正常,470nF
圖 4-4 電荷泵啟動和 FET 導(dǎo)通,2μF CP1 電容CP1 信號啟動時(shí)的圓形形狀表明電荷泵可以在較低的電壓下產(chǎn)生更多電流。CP1 是高側(cè) FET 驅(qū)動器的電源。當(dāng) CHG 或 DSG 導(dǎo)通時(shí),CHG 和 DSG 使 FET 導(dǎo)通的電流來自 CP1 電容器。由于理想開關(guān)電荷的近似值不會丟失,且導(dǎo)通前 CP1 電容器上的電荷在導(dǎo)通后分布在 CP1 和 FET 柵極電容之間,
所以導(dǎo)通后的電壓將是初始電壓的一個(gè)比值。
其中
電荷泵需要時(shí)間來補(bǔ)充傳輸?shù)綎艠O的電荷,并將電壓恢復(fù)到穩(wěn)定的 CP1 電壓范圍。圖 4-5 展示了使用 470nF CCP1 并導(dǎo)通 24 個(gè) CSD19536KCS FET 時(shí),電荷泵電壓下降。圖 4-6 展示了使用 2μF CCP1 并導(dǎo)通同樣 24 個(gè) FET 時(shí),電荷泵電壓下降的幅度更小。
圖 4-5 CP1 下降,24 個(gè) FET,CCP1 470nF
圖 4-6 CP1 下降,24 個(gè) FET,CCP1 2μF