ZHCSZ08A July 2025 – October 2025 UCC57142-Q1 , UCC57148-Q1
PRODUCTION DATA
該器件具有 ±3A 的峰值驅動強度,適合驅動 Si MOSFET/ IGBT/SiC。該驅動器具有一項重要的安全功能,借助該功能,當輸入引腳處于懸空狀態時,輸出會保持在低電平狀態。該驅動器通過使用固有自舉柵極驅動實現 NMOS 上拉,實現軌到軌輸出。在直流條件下,PMOS 用于保持 OUT 與 VDD 的連接,如下圖所示。NMOS 具有低上拉阻抗,從而在導通瞬變期間可產生強驅動強度,從而縮短功率半導體的輸入電容的充電時間并降低導通開關損耗。