ZHCSXK3 November 2024 UCC33411-Q1
ADVANCE INFORMATION
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|
| 一般信息 | ||||
| CLR | 外部間隙(1) | 端子間的最短空間距離 | > 8.2 | mm |
| CPG | 外部爬電距離(1) | 端子間的最短封裝表面距離 | > 8.2 | mm |
| DTI | 絕緣穿透距離 | 最小內(nèi)部間隙 | > 70 | μm |
| CTI | 相對(duì)漏電起痕指數(shù) | DIN EN 60112 (VDE 0303-11)；IEC 60112 | > 600 | V |
| 材料組 | 符合 IEC 60664-1 | I | ||
| 過壓類別 | 額定市電電壓 ≤ 300VRMS | I-IV | ||
| 過壓類別 | 額定市電電壓 ≤ 600VRMS | I-IV | ||
| 過壓類別 | 額定市電電壓 ≤ 1000VRMS | I-III | ||
| DIN EN IEC60747-17 (VDE 0884-17) (2) | ||||
| VIORM | 最大重復(fù)峰值隔離電壓 | 交流電壓（雙極） | 1700 | VPK |
| VIOWM | 最大工作隔離電壓 | 交流電壓（正弦波），時(shí)間依賴型電介質(zhì)擊穿 (TDDB) 測(cè)試 | 1202 | VRMS |
| VIOWM | 最大工作隔離電壓 | 直流電壓 | 1700 | VDC |
| VIOTM | 最大瞬態(tài)隔離電壓 | VTEST = VIOTM，t = 60s（鑒定測(cè)試） | 7071 | VPK |
| VIOTM | 最大瞬態(tài)隔離電壓 | VTEST = 1.2 × VIOTM；t = 1s（100% 生產(chǎn)測(cè)試） | 8485 | VPK |
| VIMP | 脈沖電壓(3) | 在空氣中測(cè)試，符合 IEC 62368-1 標(biāo)準(zhǔn)的 1.2/50μs 波形 | 8000 | VPK |
| VIOSM | 最大浪涌隔離電壓(4) | 在油中進(jìn)行測(cè)試（鑒定測(cè)試）， 符合 IEC 62368-1 的 1.2/50μs 波形。 |
10400 | VPK |
| qpd | 視在電荷(5) | 方法 a：I/O 安全測(cè)試子組 2/3 后，Vini = VIOTM，tini = 60s；Vpd(m) = 1.2 × VIORM，tm = 10s | ≤ 5 | pC |
| qpd | 視在電荷(5) | 方法 a：環(huán)境測(cè)試子組 1 后，Vini = VIOTM，tini = 60s；Vpd(m) = 1.6 × VIORM，tm = 10s | ≤ 5 | pC |
| qpd | 視在電荷(5) | 方法 b1：常規(guī)測(cè)試（100% 生產(chǎn)測(cè)試）和預(yù)處理（類型測(cè)試），Vini = VIOTM，tini = 1s；Vpd(m) = 1.875 × VIORM，tm = 1s | ≤ 5 | pC |
| CIO | 勢(shì)壘電容，輸入至輸出(6) | VIO = 0.4 sin (2πft)，f = 1MHz | < 3 | pF |
| RIO | 隔離電阻，輸入至輸出(6) | VIO = 500V，TA = 25°C | > 1012 | Ω |
| RIO | 隔離電阻，輸入至輸出(6) | VIO = 500V，100°C ≤ TA ≤ 125°C | > 1011 | Ω |
| RIO | 隔離電阻，輸入至輸出(6) | VIO = 500V，TS = 150°C | > 109 | Ω |
| 污染等級(jí) | 2 | |||
| 氣候類別 | 40/125/21 | |||
| UL 1577 | ||||
| VISO | 可承受的隔離電壓 | 可承受的隔離電壓 VTEST = VISO，t = 60s（鑒定測(cè)試） VTEST = 1.2 × VISO，t = 1s（100% 生產(chǎn)測(cè)試） |
5000 | VRMS |