ZHCSXC7A June 2023 – November 2024 UCC28731-Q1
PRODUCTION DATA
選擇的變壓器匝數(shù)比會影響 MOSFET VDS 和次級整流器反向電壓 VREV,因此應仔細檢查。
次級整流器反向電壓應力可由以下公式確定。由于次級漏電感會增加 VREV,因此可能需要在整流器周圍連接一個緩沖器來抑制任何電壓尖峰。

對于 MOSFET VDS 電壓應力,應包含估算的漏電感電壓尖峰 VLK。

在高壓線路最小負載條件下,UCC28731-Q1 需要最短的 MOSFET 導通時間 (tON(min)) 和最短的次級整流器退磁時間 (tDMAG(min))。fMAX、LP 和 RCS 的選擇會影響實際實現(xiàn)的 tON 和 tDMAG。以下公式用于確定最小 tON 是否大于 tCSLEB 以及是否實現(xiàn)了 >1.2μs 的最小 tDMAG 目標。

