ZHCSLF2E July 2002 – April 2025 UCC2800-Q1 , UCC2801-Q1 , UCC2802-Q1 , UCC2803-Q1 , UCC2804-Q1 , UCC2805-Q1
PRODUCTION DATA
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UCC280x-Q1 振蕩器會(huì)在 RC 上生成鋸齒波形。上升時(shí)間由 RT 和 CT 的時(shí)間常數(shù)決定。下降時(shí)間由 CT 和阻值約為 130Ω 的內(nèi)部晶體管導(dǎo)通電阻決定。在下降時(shí)段內(nèi),輸出關(guān)閉,最大占空比降低至 50% 或 100% 以下,具體情況取決于器件型號(hào)。高容量計(jì)時(shí)電容器會(huì)增加放電時(shí)間,并降低最大占空比和頻率。
圖 7-6 振蕩器等效電路除了單引腳編程外,UCC2800-Q1 至 UCC2805 BiCMOS 器件的振蕩器部分與 UC3842 型號(hào)器件并無(wú)相似之處。該設(shè)計(jì)仍使用連接到基準(zhǔn)電壓的電阻器和接地電容器,以便實(shí)現(xiàn)高達(dá) 1MHz 的振蕩器頻率。由于低功耗運(yùn)行需要顯著降低充電電流,因此必須調(diào)整計(jì)時(shí)元件數(shù)值。振蕩器的多個(gè)特性已進(jìn)行了優(yōu)化,助力實(shí)現(xiàn)高速抗噪運(yùn)行。相較于 UC3842 系列的 1.7V 峰峰值振幅,振蕩器峰峰值振幅典型值已提高至 2.45V。振蕩器下限閾值已降至約 0.2V,而上限閾值則相當(dāng)接近原始值 2.8V,約為
2.65V。
相較于此前約 8mA 的水平,計(jì)時(shí)電容器的放電電流峰值已提高到接近 20mA。這可等效為在接地放電開(kāi)關(guān)上串聯(lián)一個(gè)約 130Ω 的電阻器。為了在高頻運(yùn)行時(shí)實(shí)現(xiàn)短暫的死區(qū)時(shí)間和高占空比,需采用更高的電流。實(shí)際應(yīng)用中可能會(huì)在 1MHz 開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)用此類(lèi)新型 IC。
圖 7-7 振蕩器波形
圖 7-8 多個(gè) CT 下振蕩器頻率與 RT 間的關(guān)系