ZHCSSW7B June 2023 – July 2024 UCC27311A-Q1
PRODUCTION DATA
在大多數應用中，外部低側功率 MOSFET 的體二極管將 HS 節點鉗制到接地。某些時候，在外部低側 MOSFET 的體二極管鉗制此擺幅之前，電路板電容和電感會導致 HS 節點在接地電位以下瞬態擺動幾伏。只要不違反規范并且遵循本節中提到的條件，該器件中的 HS 引腳就能擺動到接地電位以下。
確保 HB 至 HS 工作電壓在建議運行條件內。因此，如果 HS 引腳瞬態電壓為 -5V，則 VDD（以及 HB）在理想情況下限制為 12V，以將 HB 至 HS 電壓保持在 17V 以下。通常，當 HS 擺動為負值時，HB 瞬間跟隨 HS，因此 HB 至 HS 電壓不會明顯過沖。
HS 的電勢必須始終低于 HO。將 HO 拉至規定條件以下，可能會激活寄生晶體管，從而導致 HB 電源的電流過大。這樣可能損壞器件。LO 和 VSS 的關系也是如此。如有必要，可在 HO 和 HS 之間或 LO 和 VSS 之間外接肖特基二極管，保護器件免受此類瞬變影響。為充分發揮作用，二極管應盡量靠近器件引腳。
為確保柵極驅動器器件正常運行，從 HB 到 HS 以及從 VDD 到 VSS 的低 ESR 旁路電容器至關重要。為充分減小串聯電感，電容器應位于器件引線處。LO 和 HO 的峰值電流可能非常大。旁路電容器的任何串聯電感都會在器件引線上引發電壓振鈴，為確保可靠運行，必須避免這種情況發生。
根據應用電路板設計和其他運行參數，除 HS 引腳外，其他引腳（比如 HI 和 LI 輸入引腳）也可能瞬時擺動到接地電位以下。為了適應這種運行條件，器件的輸入引腳能夠處理絕對最大值為 -10V 的電壓。根據布局和其他設計限制，輸出 HO 和 LO 有時也可能出現短時間瞬態電壓。因此，該器件還可以在 HO 和 LO 輸出引腳上以小于 100ns 的持續時間處理 -2V 瞬變。