ZHCSGD6A July 2017 – July 2024 UCC27212A-Q1
PRODUCTION DATA
圖 4-1 DDA 封裝8 引腳 SO-PowerPAD頂視圖| 引腳 | I/O | 說(shuō)明 | |
|---|---|---|---|
| 編號(hào) | 名稱(chēng) | ||
| 2 | HB | P | 高側(cè)自舉電源。自舉二極管位于片上,但需要外部自舉電容器。將自舉電容器的正極側(cè)連接到該引腳。HB 旁路電容器的典型范圍為 0.022μF 至 0.1μF。電容器值取決于高側(cè) MOSFET 的柵極電荷,還必須根據(jù)速度和紋波標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行選擇。 |
| 5 | HI | I | 高側(cè)輸入。(1) |
| 3 | HO | O | 高側(cè)輸出。連接到高側(cè)功率 MOSFET 的柵極。 |
| 4 | HS | P | 高側(cè)源極連接。連接到高側(cè)功率 MOSFET 的源極。將自舉電容器的負(fù)極側(cè)連接到該引腳。 |
| 6 | LI | I | 低側(cè)輸入。(1) |
| 8 | LO | O | 低側(cè)輸出。連接到低側(cè)功率 MOSFET 的柵極。 |
| 1 | VDD | P | 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的正電源。將該引腳去耦合至 VSS (GND)。典型去耦電容器范圍為 0.22μF 到4.7μF(請(qǐng)參見(jiàn)(2))。 |
| 7 | VSS | — | 器件的負(fù)電源端子,通常為接地。 |
| Pad | 散熱焊盤(pán)(3) | — | 以 VSS (GND) 為電氣基準(zhǔn)。連接到熱質(zhì)量較大的布線或 GND 平面以提高熱性能。 |