ZHCSGD6A July 2017 – July 2024 UCC27212A-Q1
PRODUCTION DATA
UCC27212A-Q1 器件設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)采用半橋和全橋或同步降壓配置的高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器可以在高達(dá) 120V 的電源電壓下工作，可支持在半橋、全橋、推挽、兩開(kāi)關(guān)正激式和有源鉗位正激式轉(zhuǎn)換器中提供 N 溝道 MOSFET 控制。
UCC27212A-Q1 器件具有 3.7A 拉電流和 4.5A 灌電流能力、出色的開(kāi)關(guān)特性以及表 6-1 中列出的大量其他特性。這些特性相結(jié)合，可確保在高頻開(kāi)關(guān)電源電路中實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)健和可靠的運(yùn)行。
| 特性 | 優(yōu)勢(shì) |
|---|---|
| 3.7A 拉電流和 4.5A 灌電流 | 高峰值電流，非常適合以極小功耗驅(qū)動(dòng)大功率 MOSFET（米勒平坦區(qū)域上的快速驅(qū)動(dòng)能力） |
| 輸入引腳（HI 和 LI）可以直接處理 –10VDC 至 20VDC 范圍 | 具備增強(qiáng)的穩(wěn)健性且能夠處理下沖和過(guò)沖，從而可以直接連接到柵極驅(qū)動(dòng)變壓器，而無(wú)需使用整流二極管。 |
| 120V 內(nèi)部自舉二極管 | 可提供電壓裕度，以滿足電信 100V 浪涌要求 |
| 開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)（HS 引腳）能夠在 100ns 內(nèi)處理 –(24 – VDD)V 最大值 | 讓高側(cè)通道獲得額外保護(hù)，以避免受到寄生電感和雜散電容引起的固有負(fù)電壓的影響 |
| 可處理電壓尖峰的強(qiáng)大 ESD 電路 | 出色的大 dV/dT 條件抗擾度 |
| 20ns 傳播延遲，以及 7.2ns 上升時(shí)間和 5.5ns 下降時(shí)間 | 出色的開(kāi)關(guān)特性和極低脈沖傳輸失真 |
| 通道間的延遲匹配時(shí)間為 4ns（典型值） | 避免電橋中的變壓器伏秒偏移 |
| 對(duì)稱 UVLO 電路 | 可確保同時(shí)實(shí)現(xiàn)高側(cè)和低側(cè)關(guān)斷 |
| 具有更高遲滯的 TTL 優(yōu)化閾值 | 模擬或數(shù)字 PWM 控制器的補(bǔ)充；更高遲滯可提供更強(qiáng)的抗噪性能 |
在 UCC27212A-Q1 器件中，高側(cè)和低側(cè)均具有獨(dú)立的輸入，從而在應(yīng)用中提供強(qiáng)大的輸入控制信號(hào)靈活性。高側(cè)驅(qū)動(dòng)器輔助電源的自舉二極管位于 UCC27212A-Q1 內(nèi)部。UCC27212A-Q1 是 TTL 或邏輯兼容版本。高側(cè)驅(qū)動(dòng)器以開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) (HS) 為基準(zhǔn)，該節(jié)點(diǎn)通常是高側(cè) MOSFET 的源極引腳和低側(cè) MOSFET 的漏極引腳。低側(cè)驅(qū)動(dòng)器以 VSS 為基準(zhǔn)（通常接地）。UCC27212A-Q1 功能分為輸入級(jí)、UVLO 保護(hù)、電平位移、自舉二極管和輸出驅(qū)動(dòng)器級(jí)。