ZHCSYD7 May 2025 UCC218200-Q1
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封裝選項(xiàng)
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機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DFP|20
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
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3 說(shuō)明
UCC218200-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于直流工作電壓高達(dá) 1500V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先進(jìn)的保護(hù)功能、出色的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC218200-Q1 具有高達(dá) ±15A 的峰值拉電流和灌電流。
輸入側(cè)通過(guò) SiO2 隔離技術(shù)與輸出側(cè)相隔離，支持高達(dá) 1.06kVRMS 的工作電壓、10kVPK 的浪涌抗擾度，隔離層壽命超過(guò) 40 年，并提供較低的器件間偏移，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 大于 200V/ns。
UCC218200-Q1 包含先進(jìn)的保護(hù)特性，如快速過(guò)流和短路檢測(cè)、故障后的受控軟關(guān)斷、故障報(bào)告、有源米勒鉗位、輸入和輸出側(cè)電源 UVLO (用于優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開(kāi)關(guān)行為和穩(wěn)健性)、初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)的主動(dòng)短路輸入、輸出電壓柵極監(jiān)控以及啟動(dòng)期間的內(nèi)置自檢。
封裝信息
| 器件型號(hào) | 封裝(1) | 本體尺寸（標(biāo)稱值） |
|---|---|---|
| UCC218200B-Q1 | DFP (SSOP 20) | 5.6mm × 7.5mm |
(1) 有關(guān)所有可用封裝，請(qǐng)參閱節(jié) 6
器件引腳配置