一区二区三区无码专区,亚洲无码视频一区二区三区,少妇挑战黑人被弄得嗷嗷大叫

7GHz 帶寬射頻全差分放大器" />

ZHCSYN4 July 2025 TRF1305C1

PRODUCTION DATA

封裝選項

請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。

機械數據 (封裝 | 引腳)

RPV|12

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

訂購信息

6.8 典型特性：D2D 配置

T_A = 25℃，V_S+ = 5V，V_S– = 0V，懸空 VOCM、PD 和 MODE 引腳，V_ICM = 1/2 Vs，D2D 交流耦合輸入/輸出配置，Z_S = 100Ω，Z_L = 100Ω，外部輸入電阻器網絡（請參閱圖 8-3），輸入剝離至 R_{IN_SH}，輸出剝離至器件引腳，并顯示環境溫度，電阻器網絡包含在 DUT 特性圖中（除非另有說明）

P_IN = 所有激勵端口均接 50Ω 信號源時為 –20dBm，
非激勵端口與 50Ω 端接

圖 6-1 整個溫度范圍內的功率增益 (Sdd21)

P_IN = 所有激勵端口均接 50Ω 信號源時為 –20dBm，
非激勵端口與 50Ω 端接

圖 6-3 整個溫度范圍內的輸入回波損耗 (Sdd11)

P_IN = 所有激勵端口均接 50Ω 信號源時為 –20dBm，
非激勵端口與 50Ω 端接

圖 6-5 整個溫度范圍內的輸出回波損耗 (Sdd22)

P_IN = 所有激勵端口均接 50Ω 信號源時為 –20dBm，
非激勵端口與 50Ω 端接

圖 6-7 整個溫度范圍內的反向隔離 (Sdd12)

P_O = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-9 整個溫度范圍內的 OIP3

P_O = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-11 整個溫度范圍內的 OIP3

在 (2f₁ – f₂) 頻率下，其中 f₁ < f₂，

P_O = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-13 整個溫度范圍內的 IMD3 更低

在 (2f₂ – f₁) 頻率下，其中 f₁ < f₂，

P_O = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-15 整個溫度范圍內的 IMD3 更高

在 (2f₁ – f₂) 頻率下，其中 f₁ < f₂，

P_O = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-17 整個溫度范圍內的 IMD3 更低

在 (2f₂ – f₁) 頻率下，其中 f₁ < f₂，

P_O = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-19 整個溫度范圍內的 IMD3 更高

P_O = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-21 整個溫度范圍內的 OIP2

P_O = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-23 整個溫度范圍內的 OIP2

P_O = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-25 整個溫度范圍內的 IMD2

P_O = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-27 整個溫度范圍內的 IMD2

圖 6-29 整個輸出功率和溫度范圍內的 HD2

圖 6-31 整個輸出功率和溫度范圍內的 HD3

圖 6-33 整個溫度范圍內的 OP1dB

圖 6-35 整個溫度范圍內的噪聲系數

TRF1305C1 500MHz 時不同 VICM 和 VOCM 條件下的 OIP3

P_O = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔，直流耦合輸入并通過偏置器強制 V_ICM

圖 6-37 500MHz 時不同 V_ICM 和 V_OCM 條件下的 OIP3

TRF1305C1 500MHz 時不同 VICM 和 VOCM 條件下的 OIP2

P_O = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔，直流耦合輸入并通過偏置器強制 V_ICM

圖 6-39 500MHz 時不同 V_ICM 和 V_OCM 條件下的 OIP2

TRF1305C1 500MHz 時不同 VICM 和 VOCM 條件下的 OP1dB

直流耦合輸入并通過偏置器強制 V_ICM

圖 6-41 500MHz 時不同 V_ICM 和 V_OCM 條件下的 OP1dB

TRF1305C1 500MHz 時不同 VICM 和 VOCM 條件下的 HD2

P_O = 7dBm，直流耦合輸入并

并通過偏置器強制 V_ICM

圖 6-43 500MHz 時不同 V_ICM 和 V_OCM 條件下的 HD2

TRF1305C1 500MHz 時不同 VICM 和 VOCM 條件下的 HD3

P_O = 7dBm，直流耦合輸入并

并通過偏置器強制 V_ICM

圖 6-45 500MHz 時不同 V_ICM 和 V_OCM 條件下的 HD3

直流耦合，V_S+ = 2.5V，V_S– = –2.5V

圖 6-47 階躍響應

Sdc21 和 Scc21 采用 50Ω 源阻抗 c 時，每個驅動輸入引腳處的 P_IN = –20dBm，適用于共模

圖 6-49 共模抑制比 (CMRR)

P_IN = 所有激勵端口均接 50Ω 信號源時為 –20dBm，
非激勵端口與 50Ω 端接

圖 6-2 整個電源電壓范圍內的功率增益 (Sdd21)

P_IN = 所有激勵端口均接 50Ω 信號源時為 –20dBm，
非激勵端口與 50Ω 端接

圖 6-4 整個電源電壓范圍內的輸入回波損耗 (Sdd11)

P_IN = 所有激勵端口均接 50Ω 信號源時為 –20dBm，
非激勵端口與 50Ω 端接

圖 6-6 整個電源電壓范圍內的輸出回波損耗 (Sdd22)

P_IN = 所有激勵端口均接 50Ω 信號源時為 –20dBm，
非激勵端口與 50Ω 端接

圖 6-8 整個電源電壓范圍內的反向隔離 (Sdd12)

P_O = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-10 整個電源電壓范圍內的 OIP3

P_O = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-12 整個電源電壓范圍內的 OIP3

在 (2f₁ – f₂) 頻率下，其中 f₁ < f₂，

P_O = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-14 整個電源電壓范圍內的 IMD3 更低

在 (2f₂ – f₁) 頻率下，其中 f₁ < f₂，

P_O = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-16 整個電源電壓范圍內的 IMD3 更高

在 (2f₁ – f₂) 頻率下，其中 f₁ < f₂，

P_O = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-18 整個電源電壓范圍內的 IMD3 更低

在 (2f₂ – f₁) 頻率下，其中 f₁ < f₂，

P_O = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-20 整個電源電壓范圍內的 IMD3 更高

P_O = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-22 整個電源電壓范圍內的 OIP2

P_O = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-24 整個電源電壓范圍內的 OIP2

P_O = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-26 整個電源電壓范圍內的 IMD2

P_O = –5dBm/子載波，2MHz 子載波間隔

圖 6-28 整個電源電壓范圍內的 IMD2

圖 6-30 整個輸出功率和電源電壓范圍內的 HD2

圖 6-32 整個輸出功率和電源電壓范圍內的 HD3

圖 6-34 整個電源電壓范圍內的 OP1dB

圖 6-36 整個電源電壓范圍內的噪聲系數

TRF1305C1 2GHz 時不同 VICM 和 VOCM 條件下的 OIP3

P_O = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔，直流耦合輸入并通過偏置器強制 V_ICM

圖 6-38 2GHz 時不同 V_ICM 和 V_OCM 條件下的 OIP3

TRF1305C1 2GHz 時不同 VICM 和 VOCM 條件下的 OIP2

P_O = 1dBm/子載波，2MHz 子載波間隔，直流耦合輸入并通過偏置器強制 V_ICM

圖 6-40 2GHz 時不同 V_ICM 和 V_OCM 條件下的 OIP2

TRF1305C1 2GHz 時不同 VICM 和 VOCM 條件下的 OP1dB

直流耦合輸入并通過偏置器強制 V_ICM

圖 6-42 2GHz 時不同 V_ICM 和 V_OCM 條件下的 OP1dB

P_O = 7dBm，直流耦合輸入并

并通過偏置器強制 V_ICM

圖 6-44 2GHz 時不同 V_ICM 和 V_OCM 條件下的 HD2

P_O = 7dBm，直流耦合輸入并

并通過偏置器強制 V_ICM

圖 6-46 2GHz 時不同 V_ICM 和 V_OCM 條件下的 HD3

圖 6-48 整個差分輸入功率范圍內的差分輸出功率

直流耦合，V_S+ = 2.5V，V_S– = –2.5V，2 至 4 倍的輸出電壓對應的是 V_INP 和 V_INM 2 至 4 倍的輸入電壓

圖 6-50 過驅恢復響應